应用FIB技术直写SOI光子晶体的研究

采用聚焦离子束在硅绝缘体上制备圆孔光子晶体。光子晶体对孔壁的陡直度有相当高的要求。然而由于聚焦离子束的沉积作用,制备出来的孔壁不够陡直,并且光子晶体表面不够平整,严重影响光子晶体导光能力。通过优化聚焦离子束平台的各项参数,特别是采用回旋式矢量扫描路径的刻蚀方式可以达到改进孔壁陡直度和表面平整度的目的。