新一代封装PrimePACK^TM3＋提升IGBT5模块性能

为了充分发挥IGBT5所具有的高结温特点,新一代Prime PACKTM3+封装结合最新的.XT技术和新的设计方法,在保持Prime PACKTM3封装尺寸的基础上确保模块输出更大的电流。Prime PACKTM3+模块内部增加了一个交流母排和交流输出功率端子,使其电流输出能力提升近30%,且在相比Prime PACKTM3芯片最高允许工作温度增加了25℃的情况下仍可有效地降低模块内部的最高温度水平。IGBT5芯片提高了电流密度,在相同模块封装尺寸下,需优化器件以实现软关断特性和损耗之间的平衡关系,从而降低尖峰关断电压水平,满足在RBSOA区(反向偏压安全工作区)的重复关断电流能力需求。

大功率IGBT5模块开关特性研究

为在实际工程应用中实现更高系统功率密度输出和可靠性要求,基于器件测试平台,对IGBT5大功率芯片P5的开关特性进行了研究,分析了其开通、关断过程随门极电阻、驱动电压、结温等外部应用条件变化的规律,研究了异常短路条件下其开关特性,并对开关异常现象从半导体原理上进行解释和说明。

软特性650V IGBT:低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

近年来,功率半导体厂商致力于提高器件的开关速度,这带来了开关损耗降低和系统能效提升的益处。这些功率器件需要优化的直流电路寄生电感(L_s)。为了满足具有大电流的高功率应用的需求,推出了一种全新的芯片650V IGBT4,旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度,并且由于关断电流变化率d i/dt的降低,带来了更低的关断电压尖峰。

EconoPACK^(TM)4坚固、可靠的下一代功率模块

可靠性与能效是当今逆变器设计考虑的两个主要因素。英飞凌全新的EconoPACK^(TM)4将坚固的模块设计与全新高能效IGBT4和Emitter Controll ed 4二极管技术融合在一起。