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InGaAs／AlAs双势垒RTD单片高速逻辑IC的研制 被引量：2
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作者 雷培明 willia,w 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1996年第2期1-5,共5页
本文叙述一种新型的基于ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡＳ双势垒ＲＴＤ单片高速逻辑集成电路的设计和制造技术。由该技术产主的Ｓｃｈｏｔ－ｔｋｙ／ＲＴＤ集成双稳开关已工作到３ＧＨＺ的振荡频率。
关键词 INGAAS ALAS 双势垒RTD 逻辑集成电路
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