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新型半导体器件的发展:碲镉汞焦平面阵列
1
作者
Raymond Balcerak
James F.Gibson
+2 位作者
william a.gutierrez
John H.Pollard
郑开陵
《应用光学》
CAS
CSCD
1989年第1期34-44,共11页
本文从比较简单的探测器线性扫描阵列到延时和积分的探测器二维扫描阵列以及二维凝视阵列的军事技术要求的发展过程作了论述。我们对一种能满足大多数军事技术要求的探测器材料(即碲镉汞)引起重视的过程进行评述。阐述各种材料的生长方...
本文从比较简单的探测器线性扫描阵列到延时和积分的探测器二维扫描阵列以及二维凝视阵列的军事技术要求的发展过程作了论述。我们对一种能满足大多数军事技术要求的探测器材料(即碲镉汞)引起重视的过程进行评述。阐述各种材料的生长方法。这些生长技术就其分析工具和生长过程中的控制而言,都与材料的特性鉴定技术紧密连系在一起。最后,评论焦平面阵列的加工技术和探测器与焦平面上加工参数之间的关系。
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关键词
焦平面阵列
碲镉汞
探测器阵列
半导体器件
凝视阵列
积分时间
液相外延
红外区
红外探测器
生长技术
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职称材料
题名
新型半导体器件的发展:碲镉汞焦平面阵列
1
作者
Raymond Balcerak
James F.Gibson
william a.gutierrez
John H.Pollard
郑开陵
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
1989年第1期34-44,共11页
文摘
本文从比较简单的探测器线性扫描阵列到延时和积分的探测器二维扫描阵列以及二维凝视阵列的军事技术要求的发展过程作了论述。我们对一种能满足大多数军事技术要求的探测器材料(即碲镉汞)引起重视的过程进行评述。阐述各种材料的生长方法。这些生长技术就其分析工具和生长过程中的控制而言,都与材料的特性鉴定技术紧密连系在一起。最后,评论焦平面阵列的加工技术和探测器与焦平面上加工参数之间的关系。
关键词
焦平面阵列
碲镉汞
探测器阵列
半导体器件
凝视阵列
积分时间
液相外延
红外区
红外探测器
生长技术
分类号
O439 [机械工程—光学工程]
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作者
出处
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1
新型半导体器件的发展:碲镉汞焦平面阵列
Raymond Balcerak
James F.Gibson
william a.gutierrez
John H.Pollard
郑开陵
《应用光学》
CAS
CSCD
1989
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