晶粒有序Si基纳米发光材料的自组织化生长

提出了两类用于制备晶粒有序Si基纳米发光材料的方案。一种是利用固体表面预成核位置的有序化,如台阶表面、再构表面、吸附表面以及图形表面等加以实现。另一种则是通过控制自组织生长成校过程的有序性,如退火诱导晶化、引入埋层应变、异种原子掺杂以及分子自组装等加以实现。评论了这些制备方法的最新进展,并展望了它的未来发展趋势。

Si纳米线的生长机制及其研究进展

Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评论了近5年来Si纳米线在制备与合成技术方面所取得的一些最新进展。其主要内容包括Si纳米线的各种金属催化生长和氧化物辅助生长,最后指出了今后该研究的发展方向。

实现受激光发射探索S i基激光器

本文首先评论了近5年来各类Si基纳米材料在光增益和受激光发射特性研究方面所取得的最新进展.进而指出,晶粒有序的小尺寸和高密度纳米晶Si(nc-Si),具有载流子三维量子受限的局域化纳米结构和具有高激活浓度Er掺杂的nc-Si:Er/SiO2纳米薄膜,将是实现Si基激光器的主要有源区材料.最后,对这一领域的今后发展趋势进行了初步展望.预计在今后的3～5年内,实现Si基激光器的探索性研究高潮即将到来,并极有可能获得重大突破性进展,即在进一步提高发光效率的基础上,实现稳定可靠的光增益和受激光发射特性.而后再用3～5年的时间,通过优化结构形式与工艺技术,研制出具有器件实用化水平的Si基激光器.

Si基纳米发光材料的研究进展

Si基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料,在未来的Si发光二极管、Si激光器以及Si基光电子集成技术中具有潜在的重要应用.这些材料主要包括纳米多孔硅,由SiO_2膜、SiO_x（x<2.0）膜与氢化非晶Si（a-Si:H）膜镶嵌或覆盖的Si纳米微粒,Si纳米量子点以及Si/SiO_2超晶格等.目前的研究迹象预示,一旦这些材料能够实现高效率和高稳定度的光致发光（PL）或电致发光（EL）,很有可能在21世纪初引发一场新的信息革命.主要介绍了过去10年中各类Si基纳米材料在制备方法、结构特征和发光特性方面的研究进展,并初步预测了这一研究领域在今后10年内的发展趋势.

半导体科学技术与诺贝尔物理学奖

半导体科学技术是自然科学和技术领域中的一个极其重要的活跃分支 ,也是完美体现当代科学技术发展特点的一个突出范例 .而诺贝尔物理学奖则是一种在全世界范围内最具权威性的自然科学奖励 ,也是获奖者所拥有的一种最高科学荣誉 .半导体科学技术与诺贝尔物理学奖之间有着某些必然的关联性 .揭示与探讨二者之间的这种内在联系 ,对于认识半导体科学技术的历史发展规律 ,并进而把握它的未来发展走向具有一定的现实指导意义 .

^(68)Ge、^(65)Ga及^(67)Ga的高自旋态研究

用在束γ谱实验技术,对^(68)Ge、^(65)Ga与^(67)Ga的高自族态进行了研究。所用核反应为^(46)Ti(^(25)Mg,xpxn),束流能量为68MeV。在^(68)Ge中,观测到新的8^+以上的多带结构、带间的交叉跃迁及一个新的可能具有大形变的带。新的微观模型(EXCITED FED VAMPIR)的计算结果与实验数据比较得到满意的符合。在^(65)Ga与^(67)Ga中,给出了这两种核的新的能级图,观测到集体性很强的带结构。