基于BP神经网络PID控制的恒流充电控制系统

针对传统PID控制在储能电容恒流充电中不能实现控制参数非线性动态整定的问题,提出了一种基于BP神经网络PID控制的恒流充电控制方法。首先介绍了传统PID控制,并与BP神经网络PID控制进行了对比和分析,然后确定了BP神经网络的模型,并计算了三层BP神经网络的权值系数,最后使PID控制器输出了调节系数KP、KI、KD。由于BP神经网络具有自学习和非线性迫近的特点,可以实时对三个调节系数进行动态调整,从而实现储能电容的恒流充电。仿真结果表明,BP神经网络PID控制器响应速度快、上升时间少、相对误差小,与PID控制器相比具有更加优良的充电性能。

Si衬底Cu_(2)ZnSnS_(4)太阳能电池的数值分析

在Si衬底上制备的Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)太阳能电池具有CZTS与Si衬底的晶格失配低的优点,但目前其转换效率仍较低.本文采用异质结太阳能电池仿真软件Afors-het对Si衬底CZTS太阳能电池进行数值计算.对现有的p-CZTS/n-Si太阳能电池的计算结果表明,在该电池结构中p-CZTS和n-Si分别起窗口层和吸收层的作用,但p-CZTS具有高光吸收系数,使大部分入射光无法透过p-CZTS层进而被n-Si吸收,限制了电池的转换效率.本文提出以p-Si作为衬底的n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池结构.计算得到的p-CZTS/p-Si结构的暗态电流密度-电压(J–V)特性曲线均为线性曲线,表明p-CZTS与p-Si为欧姆接触以及p-Si作为p-CZTS的背电极的可行性.进一步计算了p-Si的厚度与掺杂浓度、p-CZTS的厚度与掺杂浓度对n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池光伏特性的影响,在不考虑寄生串并联电阻效应和缺陷态的理想情况下,电池的最高转换效率为28.41%.本文计算结果表明,n-ZnO:Al/i-ZnO/n-CdS/p-CZTS/p-Si太阳能电池可解决现有p-CZTS/n-Si结构存在的问题,是一种合适的Si衬底CZTS太阳能电池结构.

CZTSSe薄膜与Mo背电极接触特性的数值分析

为分析CZTSSe薄膜太阳能电池的背电极接触特性,采用AFORS-HET(Automat for Simulation of HETerostructures)v2.5软件对CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo结构进行数值分析,研究CZTSSe的带隙和电子亲和能、Mo(S,Se)2界面层的厚度以及带隙对CZTSSe与Mo电极的电学接触特性的影响。结果表明CZTSSe的带隙和电子亲和能的增大,使得CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo的欧姆接触减弱并向整流接触转变;对于带隙较窄的CZTSSe,加入界面层使CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成的欧姆接触转变为整流接触,随着界面层厚度的增大,整流接触逐渐减弱;对于带隙较宽的CZTSSe,加入2 nm的界面层使得CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成的整流接触增强,但随着界面层厚度的继续增大,整流接触减弱。当CZTSSe的带隙和电子亲和能较小时,CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成欧姆接触,控制界面层厚度为100 nm左右可以得到最优的电学接触特性。

Fabrication of a ZnO:Al/Amorphous-FeSi2 Heterojunction at Room Temperature

A prototype ZnO:Al/amorphous-FeSi2 heterojunction was successfully prepared on a glass substrate by magnetron sputtering at room temperature.The structural and electrical properties of as−deposited FeSi2 thin films were investigated using x−ray diffraction,Raman scattering,resistivity,and carrier lifetime measurement.The FeSi2 thin film showed an amorphous phase with resistivity of 9.685Ω⋅cm and carrier lifetime of 9.5µs.The prototype ZnO:Al/amorphous−FeSi2 heterojunction exhibited a rectifying property of the diode from the dark current−voltage characteristic.This propert was evaluated using the shunt resistance and diode ideal factor.The experimental results suggest that the amorphous-FeSi2 thin film has promising applications in heterojunction devices with low thermal budget and low product cost.

提高工业硅冶炼入炉原料质量的方法

从原料粒度、原料成分的角度,详细分析入炉原料质量对工业硅生产的影响,阐述了如何提高入炉原料质量,对工业硅生产管控具有重要作用。

浅析提高工业硅成品率的方法

通过工业硅生产工艺细节控制分析,找出影响工业硅成品率的主要原因,分别拟定控制措施,有效提高工业硅成品率,对工业硅生产过程精细控制具有重要指导作用。

提高含硅副废产品中金属硅的方法

通过对含硅副废产品进行组配,从而提高其金属硅含量,再利用高温熔炼的方法,提取含硅副废产品中的金属硅,详细分析了含硅副废产品的成分及来源,阐述了如何利用高温熔融含硅副废产品,对提高副废资源回收具有重要意义。