期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱(英文)
1
作者
谭平恒
罗向东
+5 位作者
葛惟昆
徐仲英
Z
h
ang Y
Mascaren
h
as A
xin h p
Tu C W
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期397-402,共6页
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0 .1 %,0 .22 %,0 .36 %和0 .62 %的GaAsN合金的E_0, E_0+Δ_0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发...
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0 .1 %,0 .22 %,0 .36 %和0 .62 %的GaAsN合金的E_0, E_0+Δ_0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E_0+Δ_0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.
展开更多
关键词
GAASN
共振喇曼散射
光致发光
带隙
等电子掺杂
下载PDF
职称材料
题名
低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱(英文)
1
作者
谭平恒
罗向东
葛惟昆
徐仲英
Z
h
ang Y
Mascaren
h
as A
xin h p
Tu C W
机构
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
香港科技大学物理系
National Renewable Energy Laboratory
Department of Electrical and Computer Engineering
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期397-402,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:10404029,10334040,10274081)
国家重点基础研究专项基金(批准号:G001CB3095)
+2 种基金
江苏省自然科学基金(批准号:BK2004403)
香港RGC基金(批准号:HKUST6076/02P)
美国ODE基金(批准号:DE-AC36-99GO10337)资助项目~~
文摘
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0 .1 %,0 .22 %,0 .36 %和0 .62 %的GaAsN合金的E_0, E_0+Δ_0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E_0+Δ_0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.
关键词
GAASN
共振喇曼散射
光致发光
带隙
等电子掺杂
Keywords
GaAsN
resonant Raman scattering
photoluminescence
bandgap
isoelectronic doping
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱(英文)
谭平恒
罗向东
葛惟昆
徐仲英
Z
h
ang Y
Mascaren
h
as A
xin h p
Tu C W
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部