Chemical vapor deposition growth of large-scale hexagonal boron nitride with controllable orientation

有一致厚度的大域的六角形的硼氮化物(h-BN ) 的化学蒸汽免职(CVD ) 合成是很挑战性的，主要由于这材料的极其高的成核密度。此处，我们报导晶片规模的成功的生长，有大单人赛水晶的领域尺寸的高质量的 h-BN 单层电影，吗直到~ 72 ??????????????????????????慮潮档湡敮獬???????慮潮畴敢??洠獥灯牯????  ？？

Direct low-temperature synthesis of graphene on various glasses by plasma-enhanced chemical vapor deposition for versatile, cost-effective electrodes

在低温度的各种各样的玻璃底层上的 graphene 的没有催化剂、可伸缩的合成具有到象便宜透明电子学和最先进的显示器那样的众多的应用程序的首要的意义。然而，在这个有希望的研究领域以内的系统的学习远这样仍然保持少见。此处，我们用一个低温度的提高血浆的化学蒸汽免职方法在各种各样的眼镜上报导 graphene 的直接生长。如此的一条灵巧、可伸缩的途径在 400600 的一个生长温度范围在各种各样的玻璃底层上保证一致、没有转移的 graphene

A universal etching-free transfer of MoS2 films for applications in photodetectors

从生长底层转移瞬间 2 电影到目标底层上是为他们的实际应用的一个关键问题。而且，避免样品降级和底层破坏仍然是大挑战，因为当前的转移方法不可避免地采用蚀刻的湿化学药品，处理。我们为由使用 ultrasonication 转移瞬间 2 电影到任意的底层上开发了一个蚀刻免费的转移方法。简短，在在聚合物涂的瞬间 2 之间的接口的产生 ultrasonication 的 microbubbles 的倒塌电影和底层导致足够的力量到 delaminate 瞬间 2 电影。用这个方法，瞬间 2 电影能从所有底层(硅石，云母，锶 titanate，和蓝宝石) 被转移并且保留原来的样品形态学和质量。这个方法保证一个简单转移过程并且允许生长底层的复用，没有包含任何危险蚀刻剂。蚀刻免费的转移方法是可能的在光电探测器支持瞬间 2 的宽广应用程序。

Uniform single-layer graphene growth on recyclable tungsten foils

为了遇见升起，在电子学和光电子 graphene 要求为层厚度的有效控制的有效合成策略是高度必要的，发展。此处，我们在早转变金属的陪衬上报导严格地单个层的 graphene 的合成，钨(W) ，经由一条简单化学蒸汽免职线路。当随后的二维的生长被形成碳化物的能力在内在的体积以内调停时，裂开烃被 W 的催化地活跃的金属表面便于，导致一致单层 graphene 的形成。成长得当的 graphene 层能通过最近发达的电气化学的方法很快被转移到目标底层上，它也允许底层的复用没有介绍优秀恶化的至少五次。而且就 W 陪衬的倔强的性质而言，镍的一个互补部件被增加，借助于哪个 graphene 的生长温度能显著地被减少。简言之，一条高度有效、便宜的合成线路向大区域的一致性，单个层的厚度和高水晶的质量为 graphene 的生长被开发了。