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Weak UV‑Stimulated Synaptic Transistors Based on Precise Tuning of Gallium‑Doped Indium Zinc Oxide Nanofibers
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作者 Yuxiao Wang Ruifu Zhou +8 位作者 Haofei Cong Guangshou Chen Yanyan Ma Shuwen Xin Dalong Ge Yuanbin Qin Seeram Ramakrishna xuhai liu Fengyun Wang 《Advanced Fiber Materials》 SCIE EI CAS 2023年第6期1919-1933,共15页
In this work,a light-stimulated artificial synaptic transistor based on one-dimensional nanofibers of gallium-doped indium zinc oxides(IGZO)is demonstrated.The introduction of gallium into the nanofiber lattice can ef... In this work,a light-stimulated artificial synaptic transistor based on one-dimensional nanofibers of gallium-doped indium zinc oxides(IGZO)is demonstrated.The introduction of gallium into the nanofiber lattice can effectively alter the morphology and crystallinity,leading to a wider regulatory range of synaptic plasticity.The fabricated IGZO synaptic transistor with the optimal gallium concentration and low surface defects exhibits a superior photoresponsivity of 4300 A・W^(−1)and excellent photosensitivity,which can detect light signals as weak as 0.03 mW・cm^(−2).In particular,the paired-pulse facilitation index reaches up to 252%with over 2 h of enhanced memory retention exhibiting the long-term potentiation.Furthermore,the simulated image contrast and image recognition accuracy based on the newly designed IGZO synaptic transistors are successfully enhanced.These remarkable behaviors of light-stimulated synapses utilizing low-cost electrospun nanofibers have potential for ultraweak light applications in future artificial systems. 展开更多
关键词 INGAZNO NANOFIBER Artificial synaptic transistor Ultraviolet Photoresponsivity Phase transformation
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用于低功率神经形态晶体管的金属氧化物半导体纳米纤维中阳离子比例的合理调整 被引量:2
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作者 丛浩菲 常宇 +7 位作者 周睿夫 张文鑫 孙广欣 徐沛龙 秦元斌 Seeram Ramakrishna 刘旭海 王凤云 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期3251-3260,共10页
宽带隙金属氧化物半导体(MOS)纳米纤维神经形态晶体管(NFNTs)可以潜在地用于构建低功耗的仿生人工电路.但文献中对于NFNTs所采用MOS的阳离子配比并没有给出详细的原因.在本研究中,我们首次系统地研究了用低成本静电纺丝技术结合纳米纤... 宽带隙金属氧化物半导体(MOS)纳米纤维神经形态晶体管(NFNTs)可以潜在地用于构建低功耗的仿生人工电路.但文献中对于NFNTs所采用MOS的阳离子配比并没有给出详细的原因.在本研究中,我们首次系统地研究了用低成本静电纺丝技术结合纳米纤维转移工艺制备的氧化铟锌(InZnO)基NFNTs的阳离子比例.基于双阳离子InZnO纳米纤维的电驱动NFNTs可以大大简化实验过程.在In_(x)Zn_(1−x)O的阳离子比(x=0.6,0.7,0.8,0.9)中,我们发现基于In_(0.7)Zn_(0.3)O的NFNTs表现出最低的兴奋性突触后电流,可以为低功耗操作和突触功能模拟提供电效益.MOS纳米纤维成分的合理调整可以为高性能低功耗NFNTs提供新的思路. 展开更多
关键词 纳米纤维 静电纺丝技术 金属氧化物半导体 突触功能 电驱动 晶体管 氧化铟锌 合理调整
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从导体到半导体:ITO纳米线直径调控制备低成本电子器件
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作者 陈广寿 丛浩菲 +6 位作者 常宇 张煜 周睿夫 王昱晓 秦元斌 刘旭海 王凤云 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第11期4445-4452,共8页
金属氧化物半导体(MOSs)由于具有优异的光电学性能和稳定性,在场效应晶体管(FETs)中具有广泛的研究价值.然而,以相同的MOSs材料作为FETs的沟道和源漏电极仍存在较大挑战.本文采用静电纺丝工艺和纳米线转移技术,以一维氧化铟锡(ITO)为主... 金属氧化物半导体(MOSs)由于具有优异的光电学性能和稳定性,在场效应晶体管(FETs)中具有广泛的研究价值.然而,以相同的MOSs材料作为FETs的沟道和源漏电极仍存在较大挑战.本文采用静电纺丝工艺和纳米线转移技术,以一维氧化铟锡(ITO)为主体,构筑了低成本高性能全纳米线FETs.通过简单调节纳米线的直径,ITO实现了由导体向半导体的转变,基于最佳的ITO纳米线作为沟道和电极材料组建的FETs获得了较大的开关比(106)和较低阈值电压(0.6 V).此外,基于全静电纺丝工艺制备的增强型和耗尽型ITO纳米线FETs实现了非门逻辑及n型MOS(NMOS)电路.该方法为未来实现柔性透明光电子器件提供了可行方案. 展开更多
关键词 field-effect transistor NANOWIRE ELECTROSPINNING low-dimension lost-cost
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