射频等离子体中绝缘基片上自偏压的研究

在薄膜沉积和离子束刻蚀技术中,通常要给绝缘基片加上一个射频或脉冲电极,以便在绝缘基片上形成一个自偏压来控制轰击到绝缘基片表面的离子能量。由于绝缘基片上的自偏压不便于测量,在研究中,大多采用射频电极上的偏压来代替绝缘基片表面的实际自偏压。本文在研究中发现,绝缘基片表面的自偏压与射频输入电极上的自偏压有一定的差别,并且随着射频输入电极结构的变化和绝缘基片面积的变化,这个差异将发生意想不到的变化,并对绝缘基片厚度对自偏压的影响进行了进一步的研究和分析。这一研究对射频等离子体自偏压控制离子能量等成膜工艺具有重要的意义。