1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管

介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术,这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而,总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25%。