期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀
1
作者
薛其坤
厉建龙
+10 位作者
孙牧
陆华
T.Hashizume
y.ling
Y.Hasegawa
K.Ohno
Z.Q.Li
Y.Kawazoe
T.Sakurai
H.Kamiyama
H.Shinohara
《中国科学(A辑)》
CSCD
2000年第6期529-536,共8页
利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计...
利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0
展开更多
关键词
晶体生长
分子束外延
碳60膜
晶格
Coulomb膨胀
原文传递
题名
固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀
1
作者
薛其坤
厉建龙
孙牧
陆华
T.Hashizume
y.ling
Y.Hasegawa
K.Ohno
Z.Q.Li
Y.Kawazoe
T.Sakurai
H.Kamiyama
H.Shinohara
机构
中国科学院表面物理国家重点实验室
Institute for Materials Research
Aomori Public College
Chemistry Department
出处
《中国科学(A辑)》
CSCD
2000年第6期529-536,共8页
基金
国家杰出青年基金!(批准号:6 9625608)
日本文部省资助项目!(特别推进项目批准号:1130108102001)
文摘
利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0
关键词
晶体生长
分子束外延
碳60膜
晶格
Coulomb膨胀
分类号
O78 [理学—晶体学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀
薛其坤
厉建龙
孙牧
陆华
T.Hashizume
y.ling
Y.Hasegawa
K.Ohno
Z.Q.Li
Y.Kawazoe
T.Sakurai
H.Kamiyama
H.Shinohara
《中国科学(A辑)》
CSCD
2000
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部