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结合剂分散性对陶瓷结合剂cBN固结磨具微观结构和性能的影响
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作者 刘小磐 贺洛霆 +3 位作者 鄢永高 潘晓毅 陈帅鹏 岳嵩 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期112-121,共10页
本文探究了硅烷偶联剂KH560的浓度对陶瓷结合剂粉体分散性和放置稳定性的影响,并探究了改性机理.进而以不同分散性的结合剂粉体制备了cBN磨具,探究了结合剂粉体改性方式和放置时间对磨具微观机理、力学性能和磨削性能的影响.结果表明:... 本文探究了硅烷偶联剂KH560的浓度对陶瓷结合剂粉体分散性和放置稳定性的影响,并探究了改性机理.进而以不同分散性的结合剂粉体制备了cBN磨具,探究了结合剂粉体改性方式和放置时间对磨具微观机理、力学性能和磨削性能的影响.结果表明:以质量分数为3.0%的KH560作为添加量时,改性后的陶瓷结合剂微粉的分散性和放置稳定性最好.采用质量分数为3.0%KH560改性的陶瓷结合剂微粉放置360 h后,其所制备的cBN磨具样品微观结构均匀,抗弯强度与洛氏硬度均达到最大值,分别为189.3 MPa和100.15 HRB,相较于未改性的cBN磨具其相应数值分别增加了14.54%和5.82%;用该结合剂制备的cBN磨具珩磨轴承钢内孔时,被加工工件的表面粗糙度Ra为0.054μm,相较于未改性的cBN磨具所加工的工件其数值下降了48.6%. 展开更多
关键词 陶瓷结合剂 表面改性 CBN磨料 力学性能 磨削性能
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n型B_(i2)Te_(3)基材料表面处理对热电单元性能的影响 被引量:1
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作者 华思恒 杨东旺 +7 位作者 唐昊 袁雄 展若雨 徐卓明 吕嘉南 肖娅妮 鄢永高 唐新峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期163-169,共7页
Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电... Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电阻、高结合强度具有重要意义。本工作将n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料薄片在混合酸溶液(pH~3)中进行表面处理,随后进行化学镀Ni(5μm),再与Cu电极焊接制备得到热电单元。腐蚀后,n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料表面大的沟壑与Ni阻挡层间形成锚固效应,腐蚀6 min的材料结合强度高达15.88 MPa。大沟壑表面进一步腐蚀后出现的精细分支与Ni阻挡层间形成纳米孔洞,显著增大了界面接触电阻,腐蚀2 min的材料达到2.23Ω·cm^(2)。最终,腐蚀4 min后镀Ni的n型Bi_(2)Te_(3)基热电片材与p型Bi_(2)Te_(3)基热电片材制备的微型热电器件在20 K温差(高温端306 K,低温端286 K)下的输出功率高达3.43 mW,相较于商用电镀镀层制备的同尺寸器件提升了31.92%。本工作将为微型热电器件的性能优化提供支撑。 展开更多
关键词 Bi_(2)Te_(3) 界面结合强度 界面接触电阻 镍阻挡层 微型热电器件
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激光诱导方钴矿自蔓延高温合成过程研究
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作者 姚磊 杨东旺 +1 位作者 鄢永高 唐新峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期815-822,I0006-I0008,共11页
通过自蔓延高温合成(SHS)及其衍生方法可以超快速地制备热电材料粉体或块体,并获得优异的热电性能。但是在采用SHS技术制备方钴矿材料的过程中,易出现非稳态SHS反应,使得反应后的坯体中产生杂相。本工作采用激光诱导点火和坯体预热相结... 通过自蔓延高温合成(SHS)及其衍生方法可以超快速地制备热电材料粉体或块体,并获得优异的热电性能。但是在采用SHS技术制备方钴矿材料的过程中,易出现非稳态SHS反应,使得反应后的坯体中产生杂相。本工作采用激光诱导点火和坯体预热相结合的方法,分别研究了激光点火的功率密度η和预热温度T0对方钴矿材料自蔓延高温合成过程的影响,总结了方钴矿CoSb3燃烧模式的变化规律,并获得了制备单相的工艺窗口。研究结果表明,当激光点火功率密度η固定时,随着预热温度T0升高,方钴矿的SHS反应存在“反应中止→非稳态螺旋燃烧→稳态燃烧→非稳态螺旋燃烧”的转变过程;在η=3.75 J·mm^(–2),250℃≤T0<370℃条件下,可以获得单相CoSb3。 展开更多
关键词 自蔓延高温合成 方钴矿 包晶反应 稳态燃烧 非稳态螺旋燃烧
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(GeTe)nBi2Te3的结构与热电性能研究 被引量:6
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作者 杨枭 苏贤礼 +1 位作者 鄢永高 唐新峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期75-80,共6页
在GeTe-Bi2Te3赝二元系统中,(GeTe)n(Bi2Te3)m化合物往往具有较低的晶格热导率,但其中很多组分的热电性能尚未得到系统研究。本研究通过熔融、淬火、退火结合放电等离子烧结工艺制备了一系列(GeTe)nBi2Te3(n=10,11,12,13,14)单相多晶样... 在GeTe-Bi2Te3赝二元系统中,(GeTe)n(Bi2Te3)m化合物往往具有较低的晶格热导率,但其中很多组分的热电性能尚未得到系统研究。本研究通过熔融、淬火、退火结合放电等离子烧结工艺制备了一系列(GeTe)nBi2Te3(n=10,11,12,13,14)单相多晶样品,并对其相组成和热电性能进行表征和研究。掺杂Bi2Te3可以显著增强点缺陷声子散射,大幅度降低材料的晶格热导率,在723 K时,(GeTe)13Bi2Te3样品的总热导率低至1.63 W·m^–1·K^–1。此外,掺杂Bi2Te3和调控GeTe的相对含量,提高了材料的载流子有效质量,即使在较高的载流子浓度下,样品依然保持较高的塞贝克系数和功率因子,在723 K,(GeTe)13Bi2Te3样品获得最大的功率因子为2.88×10^–3 W·m^–1·K^–2,最终(GeTe)13Bi2Te3样品在723 K获得的最大ZT值达到1.27,较未掺杂的GeTe样品提高了16%。 展开更多
关键词 GETE Bi2Te3掺杂 结构 热电性能
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Bi_(2)Te_(3)柔性热电器件的制备与发电性能研究 被引量:6
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作者 杨龙 尤汉 +3 位作者 唐可琛 唐昊 鄢永高 唐新峰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第10期14-16,20,共4页
基于热电发电器件的环境能量收集对于下一代免充电电子设备的发展具有重要意义。通过选择聚酰亚胺膜(PI膜)柔性基板材料,设计基板及热电粒子尺寸,并对基板进行无损分割等方法,设计制作了一种垂直结构微型柔性热电器件。该微型柔性热电... 基于热电发电器件的环境能量收集对于下一代免充电电子设备的发展具有重要意义。通过选择聚酰亚胺膜(PI膜)柔性基板材料,设计基板及热电粒子尺寸,并对基板进行无损分割等方法,设计制作了一种垂直结构微型柔性热电器件。该微型柔性热电器件在热端温度33℃,冷端温度13℃时,可产生155.1 mV的开路电压,其最大输出功率可达到0.81 mW,功率密度为9.34 mW/g(2.53 mW/cm^(2)),器件最小弯曲半径可以达到9 mm。结果表明:本文设计方法合理,器件与粒子微型化,基板柔性化的方法,解决了碲化铋(Bi_(2)Te_(3))材料因为本征脆性而难以制作柔性热电器件的难题,可以在保证器件发电能力的基础上使器件具有一定的柔性,使其能更好地贴合热源表面工作,为可穿戴设备如体表传感器进行供电。 展开更多
关键词 柔性热电器件 聚酰亚胺膜 碲化铋 发电性能
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基于ANSYS的SnTe热电材料选区激光熔化数值模拟及实验研究 被引量:3
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作者 罗闯 鄢永高 唐新峰 《热加工工艺》 北大核心 2019年第5期206-211,共6页
基于ANSYS软件建立了SnTe热电材料选区激光熔化单层多道面扫描的三维有限元模型(FEM),采用移动的高斯面热源,考虑材料的物性参数随温度的非线性变化以及相变潜热的影响,得到不同扫描方式下SnTe粉体材料成形过程中的熔池热行为及应力分布... 基于ANSYS软件建立了SnTe热电材料选区激光熔化单层多道面扫描的三维有限元模型(FEM),采用移动的高斯面热源,考虑材料的物性参数随温度的非线性变化以及相变潜热的影响,得到不同扫描方式下SnTe粉体材料成形过程中的熔池热行为及应力分布,并采用相关实验进行验证。结果表明:不同扫描方式对熔池的宽度、深度以及气化程度影响不大,但分区蛇形扫描能够大幅增加熔池长度、减小温度梯度、降低冷却速率。采用分区蛇形扫描时σx(扫描方向应力)拉应力最小,为583 MPa,且扫描道中间位置的应力得到了释放。本研究为SnTe热电材料SLM过程工艺参数的优化提供了理论指导,也为其他激光非平衡制备技术的改进提供了新的研究思路。 展开更多
关键词 选区激光熔化 SnTe热电材料 扫描方式 模拟 温度场与应力场
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选区激光熔化技术制备n型Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料工艺、取向性及性能的研究
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作者 武雪峰 鄢永高 唐新峰 《热加工工艺》 北大核心 2021年第2期56-62,共7页
采用选区激光熔化技术制备了n型Bi2Te2.7Se0.3块体样品,并探索了激光工艺参数对材料成形质量、化学组成、微结构、取向性以及热电性能的影响,最终打印出性能与区熔制备材料接近的高致密样品。结果表明,在基板上最开始的若干单层成形过程... 采用选区激光熔化技术制备了n型Bi2Te2.7Se0.3块体样品,并探索了激光工艺参数对材料成形质量、化学组成、微结构、取向性以及热电性能的影响,最终打印出性能与区熔制备材料接近的高致密样品。结果表明,在基板上最开始的若干单层成形过程中,激光体能量密度Ev=33.3~46.67 J/mm3时,样品成形质量较好。当打印厚度超过约0.1 mm时,成形质量出现劣化,可能的原因是打印样品具有较强的取向性,导致其热导率的各向异性以及与基板具有较大的差异,因而影响了成形粉体的熔化和凝固过程。后续打印过程中采用重熔的方法,消除了因热导率变化带来的成形劣化。当打印厚度超过约1 mm时,样品成形质量再次劣化,这是由于样品的厚度已经足够大,基板对成形过程中熔池附近的温度场影响逐渐减小,而主要受打印样品的影响。考虑到打印样品热导的关系,于是进一步改善工艺,提高了激光的体能量密度,最终得到了半径为20 mm、厚度为15 mm的样品。研究了激光成形过程中元素挥发对最终样品化学组成的影响规律,通过调节粉体的初始配比最终得到了组分稳定、性能接近区熔工艺制备的块体材料。 展开更多
关键词 选区激光熔化 n型Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3) 取向性 热电性能
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全赫斯勒合金Fe_(2)TiSn的自蔓延高温合成及其热电性能
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作者 田然 鄢永高 唐新峰 《热加工工艺》 北大核心 2021年第2期47-51,共5页
Fe_(2)TiSn合金是全赫斯勒合金的一种,在以往的计算中被预测为一种极具潜力的热电材料,且其力学性能、热力学稳定性均较好。以往制备全赫斯勒合金Fe_(2)TiSn采用的工艺是电弧熔炼后进行长达两周的退火,这需要很长的时间并且伴随这大量... Fe_(2)TiSn合金是全赫斯勒合金的一种,在以往的计算中被预测为一种极具潜力的热电材料,且其力学性能、热力学稳定性均较好。以往制备全赫斯勒合金Fe_(2)TiSn采用的工艺是电弧熔炼后进行长达两周的退火,这需要很长的时间并且伴随这大量的能源消耗。采取一种全新的方式制备Fe_(2)TiSn合金,即采用自蔓延高温燃烧合成结合退火和等离子体活化烧结制备了元素分布均匀、成分控制良好、致密度可在97.5%以上的块体材料。Fe_(2)TiSn样品表现为本征p型传导,在300 K时最高ZT值为0.0071。该研究为快速、低成本制备全赫斯勒热电材料开辟了一条新途径。 展开更多
关键词 热电 全赫斯勒合金 Fe_(2)TiSn 自蔓延高温燃烧合成(SHS)
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Thermoelectric Properties of n-type Full-Heusler Fe_(2-2x)Co_(2x) TiSn Prepared by an Ultra-fast Synthesis Process
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作者 ZHAO Dongyan CHEN yanning +8 位作者 WANG Yubo ZHANG Haifeng FU Zhen WANG Shuaipeng YU Wen DU Jian WANG Wenhe QIU Junhao yan yonggao 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2021年第4期497-504,共8页
Full-Heusler alloy Fe_(2)TiSn was predicted to be a potential thermoelectric material with high mechanical properties and stability.Fe_(2)TiSn was usually prepared by arc-melting followed by annealing for 2 weeks,whic... Full-Heusler alloy Fe_(2)TiSn was predicted to be a potential thermoelectric material with high mechanical properties and stability.Fe_(2)TiSn was usually prepared by arc-melting followed by annealing for 2 weeks,which takes a long time and consumes a large amount of energy.In this paper,Fe_(2)TiSn was prepared by an ultra-fast method,self-propagating high-temperature synthesis (SHS) combined with spark plasma sintering.The bulk materials with uniform element distribution,well controlled composition and relative densities of over 97.5% were prepared.The undoped Fe_(2)TiSn samples show p-type transport behavior.Co was heavily doped at the Fe site to prepare n-type Fe_(2-2x)Co_(2x) TiSn samples.The thermoelectric properties measurements carried out on the Co-doped samples show a highest ZT=0.02 at 300 K,which is about tripe the performance of the pristine Fe_(2)TiSn.This study provides a new approach for the rapid and low-cost preparation of full-Heusler thermoelectric materials. 展开更多
关键词 THERMOELECTRIC full-Heusler Fe2TiSn SHS thermoelectric properties
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快速非平衡技术制备ZrNiSn及其纳微结构与热电性能
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作者 杨东旺 罗婷婷 +2 位作者 苏贤礼 鄢永高 唐新峰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期597-604,共8页
利用外加引火剂的自蔓延高温合成(SHS)反应形成的"化学反应加热炉"引发ZrNiSn的SHS反应,在反应物坯体处于红热软化状态下快速加压制备得到致密的ZrNiSn块体。对材料物相及微结构进行表征,并对热电性能进行测试。结果表明:ZrN... 利用外加引火剂的自蔓延高温合成(SHS)反应形成的"化学反应加热炉"引发ZrNiSn的SHS反应,在反应物坯体处于红热软化状态下快速加压制备得到致密的ZrNiSn块体。对材料物相及微结构进行表征,并对热电性能进行测试。结果表明:ZrNiSn内部存在大量纳米晶核和高浓度位错群及应力起伏区,极大地增强了声子散射,显著减小了声子平均自由程,进而降低了晶格热导率,并且热电性能得到优化,在873K时,ZT值为0.54。 展开更多
关键词 化学炉 自蔓延高温合成 half-Heusler合金 缺陷 热电
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A Strategy to Reduce the Peak Temperature of the Chip Working under Dynamic Power Using the Transient Cooling Effect of the Thin-Film Thermoelectric Cooler
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作者 WU Yongjia CHEN Sen +5 位作者 GONG Tingrui SHI Tianhao ZUO Lei yan yonggao FANG Yueping MING Tingzhen 《Journal of Thermal Science》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第4期1094-1105,共12页
The thin-film thermoelectric cooler(TEC)is a promising solid-state heat pump that can remove the high local heat flux of chips utilizing the Peltier effect.When an electric current pulse is applied to the thin-film TE... The thin-film thermoelectric cooler(TEC)is a promising solid-state heat pump that can remove the high local heat flux of chips utilizing the Peltier effect.When an electric current pulse is applied to the thin-film TEC,the TEC can achieve an instantaneous lower temperature compared to that created by a steady current.In this paper,we developed a novel strategy to reduce the peak temperature of the chip working under dynamic power,thus making the semiconductor chip operate reliably and efficiently.A three-dimensional numerical model was built to study the transient cooling performance of the thin-film TEC on chips.The effects of parameters,such as the current pulse,the heat flux,the thermoelement length,the number of thermoelements,and the contact resistance on the performance of the thin-film TEC,were investigated.The results showed that when a current pulse of 0.6 A was applied to the thin-film TEC before the peak power of the chip,the peak temperature of the chip was reduced by more than 10℃,making the thin-film thermoelectric cooler a promising technology for the temperature control of modern chips with high peak powers. 展开更多
关键词 temperature control transient cooling thermoelectric cooler heat transfer
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