基于DIgSILENT的机网协调控制及动模验证

具有联络断面弱、小网、大负荷特征的工业电网,发生故障及断面解列时容易造成系统稳定性破坏问题,为此提出DIgSILENT仿真平台用于源网荷储协调系统的暂态分析和控制器开发。提出了结合安全稳定控制系统、机网协调器、电力系统稳定器、励磁系统及调速系统于一体的工业电网数字孪生系统,根据实测参数对自动装置的控制器进行了建模和比对。基于DSL编程设计了机网协调控制器,对电压控制、频率控制和功率控制整定参数,验证了对频率电压稳定性的影响,实现了联络断面功率的灵活调配。利用实时数字仿真器(RTDS)进行了机网协调装置和稳控装置的硬件闭环动模试验。给出了DIgSILENT仿真与RTDS仿真结果的对比,验证了DIgSILENT仿真机网协调控制的准确性和有效性。

基于RTDS的安全稳定控制系统动模试验分析

基于实时数字电力仿真系统(RTDS)建立安全稳定控制系统的数字动模试验模型,研究威俊—包北500 kV变电站的临时安全稳定控制系统。依据安全稳定控制系统入网检测要求,对工程中安稳装置进行全面的功能检测,重点对跳闸判据、安稳策略、切机原则及系统振荡进行装置校验。试验结果表明,通过RTDS搭建的动模试验平台具备安全稳定控制系统的装置级校验能力,能够真实准确地反映安稳装置的动作行为和控制特性,在线路发生低频振荡时安稳装置能够依据策略正确动作。

火电厂升压站保护改造分析

针对丰镇电厂继电保护装置可靠性和灵敏性较低的问题,对该厂的短引线保护、线路保护和断路器保护进行改造。在保护装置调试正确后,采用发电机零起升流短路试验方法,对改造后的二次设备进行保护相量测试分析,并解决母差保护电流相序反接问题,保障了电厂的安全稳定运行。

基于纤维截面模型的预应力桥墩抗震性能分析

为研究预应力混凝土在地震作用下的能量耗散能力和滞回特性,采用基于柔度法的纤维模型分析方法建立整体现浇预应力桥墩的分析模型,在低周期循环荷载作用下,进行非线性时程分析。比较预应力钢筋混凝土桥墩与普通钢筋混凝土桥墩的滞回性能,并在此基础上进行参数分析。结果表明:预应力桥墩的自复位能力好,残余变形小,但耗能能力较差。桥墩的残余变形和耗能能力随着预应力钢筋距截面形心距离、预应力张拉程度和配筋率的增大而减小。

左心房基质重构在阵发性心房颤动射频消融术后超远期复发中的作用

目的:探讨阵发性心房颤动(房颤)经导管射频消融后超远期复发的预测因素,并评估阵发性房颤患者超远期复发过程中左心房基质重构的作用。方法:选择连续39例消融术后3年以上复发并接受再次消融手术的阵发性房颤患者,即超远期复发组。对照组为78例通过倾向性评分确定的首次消融术后随访超过3年仍无复发的阵发性房颤患者,即无复发组。结果:与无复发组相比,超远期复发组左心房基质的特征为:(1)左心房内径更大[(36.1±4.1)mm vs(38.5±4.3)mm,P=0.005];(2)传导时间更长[(184.8±66.9)ms vs(152.0±64.2)ms,P=0.012];(3)双极电压更低[(1.14±0.69)mV vs(1.55±0.57)mV,P=0.001];(4)低压区比例更高[(18.7±15.3)%vs(8.9±9.0)%,P<0.001]。在超远期复发组中,与首次消融手术相比,再次消融术中发现:(1)左心房扩张[(38.5±4.3)mm vs(40.03±4.4)mm,P=0.024];(2)左心房低电压区增加[(18.7±15.4)mV vs(28.3±16.9)mV,P<0.001];(3)左心房瘢痕面积增加[(5.1±5.4)%vs(2.8±6.5)%,P=0.008]。结论:阵发性房颤射频消融术后超远期复发的患者发生了显著的电重构和结构重构,这些左心房基质重构可能参与超远期复发的机制。

心房颤动射频消融术中活化凝血时间维持在220~270 s的安全性

目的:评估心房颤动(房颤)患者导管消融术中将活化凝血时间(ACT)维持于略低于指南建议范围的安全性。方法:连续纳入行房颤射频消融术的1065例患者,单次房间隔穿刺成功后根据体重给予100 U/kg的首剂肝素,之后每15~20 min测量1次ACT,根据ACT测值每次追加1000~2000 U肝素,ACT目标范围为220~270 s。应用冷盐水灌注消融导管进行肺静脉隔离和左房消融。结果:术中的ACT均值为(234.6±30.4)s,平均手术时间(145.8±36.7)min,术中平均肝素用量为(11092.0±2297.6)U。在并发症方面,1例(0.09%)发生了围术期症状性脑栓塞,10例(0.9%)发生了急性心脏压塞。结论:在应用单次房间隔穿刺和冷盐水灌注消融导管的条件下,房颤射频消融术中ACT均值维持于低于指南建议的范围并不增加围术期血栓栓塞事件。

Room temperature ferromagnetism of Ni, (Ni, Li), (Ni, N)-doped ZnO thin films

Ni-doped ZnO thin films (Ni concentration up to 10 mol%) were generated on Si (100) substrates by a sol-gel technique. The films showed wurtzite structure and no other phase was found. The chemical state of Ni was found to be bivalent by X-ray photoelectron spectroscopy. The results of magnetic measurements at room temperature indicated that the films were ferromagnetic, and magnetic moment decreased with rise of Ni concentration. The magnetization of Ni (10 mol%)-doped ZnO film annealed in nitrogen was lower than that annealed in argon, suggesting that the density of defects had an effect on ferromagnetism.