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二维材料构筑的CO_(2)分离膜研究进展 被引量:1
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作者 李卉 王雨琪 +1 位作者 叶志镇 彭新生 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期170-179,共10页
二维材料由于其独特的纳米片结构,已广泛应用于设计高气体渗透通量和选择性的分离膜中.石墨烯类、二维金属有机骨架、二维过渡金属碳化物/碳氮化物等二维材料中构筑的纳米及纳米尺度孔道为分子输运提供了特殊的通道,它们是高渗透性和高... 二维材料由于其独特的纳米片结构,已广泛应用于设计高气体渗透通量和选择性的分离膜中.石墨烯类、二维金属有机骨架、二维过渡金属碳化物/碳氮化物等二维材料中构筑的纳米及纳米尺度孔道为分子输运提供了特殊的通道,它们是高渗透性和高选择性分子筛分的根本原因.本文综述了近年来二维材料基CO_(2)分离膜的研究进展,包括材料种类、分离膜的制备方法、分离性能及分离机制,并对二维材料基CO_(2)分离膜的应用前景进行了总结与展望. 展开更多
关键词 二维材料 气体分离 CO_(2)分离膜 分离机制
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银铜合金键合丝力学性能的第一性原理计算 被引量:1
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作者 宗丽莉 潘新花 +4 位作者 徐豪杰 叶志镇 薛子夜 赵义东 谢海涛 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期737-741,共5页
基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了铜掺杂含量对银合金键合丝晶格常数、热力学性能和力学性能的影响。在CASTEP软件中,构建3×3×3的面心立方晶系的超胞模型,选择超软赝势平面波法处理电子波函数以及广义梯度近似法处理... 基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了铜掺杂含量对银合金键合丝晶格常数、热力学性能和力学性能的影响。在CASTEP软件中,构建3×3×3的面心立方晶系的超胞模型,选择超软赝势平面波法处理电子波函数以及广义梯度近似法处理交换关联泛函。结果表明:银和铜可以形成稳定的固溶体,随铜含量的增加,其稳定性逐渐增强;根据计算得到的弹性常数(c_(ij))推算键合丝常见的力学参量表明:银铜合金键合丝保持着良好的力学稳定性,随铜掺杂含量的增加,其硬度和刚度均先增后减,而塑性则不断下降。同时选取两款常用键合丝进行了力学可靠性实验,实验结果与计算结果具有较高的吻合性。 展开更多
关键词 第一性原理计算 密度泛函理论 银铜合金键合丝 力学性能
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有机包覆抗硫化腐蚀的银键合丝研究
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作者 徐豪杰 叶志镇 +3 位作者 潘新花 薛子夜 赵义东 谢海涛 《电子与封装》 2021年第8期48-52,共5页
选取了纯银键合丝和有机包覆银键合丝,通过抗硫化腐蚀试验,分析对比其表面形貌、电学性能和键合性能。结果表明,表面包覆的有机膜有效减少了银键合丝表面由于Ag与S反应生成的Ag_(2)S,保障了银丝金属光泽和低电阻电学性能,保证了银丝在... 选取了纯银键合丝和有机包覆银键合丝,通过抗硫化腐蚀试验,分析对比其表面形貌、电学性能和键合性能。结果表明,表面包覆的有机膜有效减少了银键合丝表面由于Ag与S反应生成的Ag_(2)S,保障了银丝金属光泽和低电阻电学性能,保证了银丝在引线键合过程中的稳定性能,为解决银键合丝易硫化腐蚀的问题提供了可行性方案。 展开更多
关键词 银键合丝 有机包覆 抗硫化腐蚀 键合性能
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宽禁带半导体光电材料及其应用研究 被引量:7
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作者 叶志镇 王凤志 +1 位作者 陈芳 陆杨丹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第17期303-321,共19页
宽禁带半导体具有独特的电子结构、丰富的微纳结构、低温可控制备、可柔性透明化、化学稳定性好、物丰价廉等特点,成为信息技术与环境技术新的重要基础材料。以氧化锌和钙钛矿这两种宽禁带半导体材料为例,分别介绍了两种材料的制备原理... 宽禁带半导体具有独特的电子结构、丰富的微纳结构、低温可控制备、可柔性透明化、化学稳定性好、物丰价廉等特点,成为信息技术与环境技术新的重要基础材料。以氧化锌和钙钛矿这两种宽禁带半导体材料为例,分别介绍了两种材料的制备原理及方法、光电特性及其在紫外光源、透明导电薄膜、发光二极管等领域的应用。最后对其发展进行了展望。 展开更多
关键词 材料 氧化锌 紫外光源 透明导电薄膜 钙钛矿 发光二极管
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Analysis of magnetic mechanisms of 3d-doped ZnO diluted magnetic semiconductors by an abnormal peak on M-T curve 被引量:1
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作者 PENG YingZi THOMAS Liew +1 位作者 ye zhizhen ZHANG YinZhu 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2007年第20期2742-2746,共5页
The crystallographic structures and magnetic properties of a Zn0.95Co0.05O thin film deposited on a C-sapphire substrate using a dual-beam pulsed laser deposition method were characterized. It was shown from crystallo... The crystallographic structures and magnetic properties of a Zn0.95Co0.05O thin film deposited on a C-sapphire substrate using a dual-beam pulsed laser deposition method were characterized. It was shown from crystallographic analysis that the film belongs to the wurtzite structure with the C-axis aligned with that of the substrate. Magnetic hysteresis loops were observed till up to room temperature. A small peak around 55 K was noticed on the magnetization vs. temperature curve. The corresponding temperature of the small peak is close to that of ‘the abnormal peak’ reported by X.M. Zhang et al. From the results obtained, no correlation was found between the abnormal peak and the quantum effects. The magnetic behaviors in the Zn0.95Co0.05O film cannot be explained by the ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors. The magnetic mechanisms in ZnO-based diluted magnetic semiconductors are also discussed. 展开更多
关键词 弱磁半导体 抗磁性 氧化锌 性能
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