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三维集成TSV垂直开关研究
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作者 刘乐 王凤娟 +2 位作者 文炳成 余宁梅 杨媛 《电子器件》 CAS 北大核心 2023年第6期1469-1473,共5页
针对三维集成中的TSV垂直开关,提出了其阈值电压和漏极电流的解析模型。采用基于有限元法(FEM)的Sentaurus软件进行解析模型验证。分析了三维集成TSV垂直开关的优点以及不同尺寸的TSV高度、半径及氧化层厚度对TSV垂直开关的阈值电压及... 针对三维集成中的TSV垂直开关,提出了其阈值电压和漏极电流的解析模型。采用基于有限元法(FEM)的Sentaurus软件进行解析模型验证。分析了三维集成TSV垂直开关的优点以及不同尺寸的TSV高度、半径及氧化层厚度对TSV垂直开关的阈值电压及漏极电流的影响。结果表明:TSV高度对阈值电压无影响,漏极电流增大;TSV的直径的增大会导致阈值电压减小,漏极电流增大;TSV氧化层厚度的增大会导致阈值电压增大,漏极电流减小。并且有限元法仿真与解析模型计算的误差均小于10%,验证了该模型的准确性,为TSV垂直开关的应用提供了重要的理论依据。 展开更多
关键词 TSV TSV垂直开关 三维集成电路 解析模型
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用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡ADC设计技术研究 被引量:2
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作者 张倩 郭仲杰 +1 位作者 余宁梅 吴龙胜 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1307-1311,共5页
针对CMOS图像传感器中传统的列级单斜式ADC在速度方面的不足和两步式ADC在斜坡间切换过程中的非线性问题,论文提出了一种基于时间共享与单区间的高速高精度列并行两步式斜坡ADC架构。采用像素电荷转移阶段的电位识别,实现了不消耗时间... 针对CMOS图像传感器中传统的列级单斜式ADC在速度方面的不足和两步式ADC在斜坡间切换过程中的非线性问题,论文提出了一种基于时间共享与单区间的高速高精度列并行两步式斜坡ADC架构。采用像素电荷转移阶段的电位识别,实现了不消耗时间的粗量化;采用单区间高精度量化,解决了多斜坡之间的无缝衔接问题。所提出的方法在一款基于55 nm 1P4M工艺的2048×2048规模的CMOS图像传感器芯片中进行了有效性验证,结果表明,在12位分辨率下,该方法相较于传统的两步式结构,行时间可以压缩到500 ns,DNL和INL都可以控制到0.12LSB以内,单列功耗仅为16.5μW。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 斜坡ADC 单斜坡 两步式
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一种用于时延积分CMOS图像传感器的10 bit全差分双斜坡模数转换器 被引量:2
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作者 张鹤玖 余宁梅 +1 位作者 吕楠 刘尕 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第6期1466-1471,共6页
为了满足时间延时积分(TDI)CMOS图像传感器转换全差分信号的需要,同时符合列并行电路列宽的限制,该文提出并实现了一种10 bit全差分双斜坡模数转换器(ADC)。在列并行单斜坡ADC的基础上,采用2个电容的上极板对差分输入进行采样,电容下极... 为了满足时间延时积分(TDI)CMOS图像传感器转换全差分信号的需要,同时符合列并行电路列宽的限制,该文提出并实现了一种10 bit全差分双斜坡模数转换器(ADC)。在列并行单斜坡ADC的基础上,采用2个电容的上极板对差分输入进行采样,电容下极板接2个斜坡输出完成量化。基于电流舵结构的斜坡发生器同时产生上升和下降斜坡,2个斜坡的台阶电压大小相等。该电路使用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计实现,ADC以19.49 k S/s的采样频率对1.32 kHz的输入进行采样,仿真得到无杂散动态范围和有效位数分别为87.92 dB和9.84 bit。测试显示该ADC的微分非线性误差和积分非线性误差分别为–0.7/+0.6 LSB和–2.6/+2.1 LSB。 展开更多
关键词 列并行模数转换器 全差分输入 电流舵斜坡发生器 比较器
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一种用于列并行ADC的改进型栅压自举开关 被引量:1
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作者 张鹤玖 余宁梅 吕楠 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第3期214-219,234,共7页
CMOS图像传感器中列并行模数转换器(ADC)的面积受到严格限制,ADC采样保持电路中的栅压自举开关也必须满足每列的面积要求。在传统单电容型栅压自举开关的基础上,利用源极跟随器在降低开关导通电阻的同时提高了电路的可靠性;通过体效应... CMOS图像传感器中列并行模数转换器(ADC)的面积受到严格限制,ADC采样保持电路中的栅压自举开关也必须满足每列的面积要求。在传统单电容型栅压自举开关的基础上,利用源极跟随器在降低开关导通电阻的同时提高了电路的可靠性;通过体效应补偿电路降低输入变化对导通电阻的影响;同时,在列共用偏置电路上增加控制开关,减少不必要的功耗。提出的电路使用UMC 0.11μm CMOS工艺实现,电源电压为3.3V,仿真结果表明开关导通电阻降低了约28.6%,输入范围内电阻变化率小于1.2%,有效位数提高了1bit,而面积只增加了15%。流片后测试结果显示,以20MS/s的采样频率对1.97MHz的输入进行采样,测得信噪比(SNR)、无杂散动态范围(SFDR)和有效位数(ENOB)分别为85.8dB、71.1dB和11.5bit。 展开更多
关键词 列并行模数转换器 栅压自举开关 导通电阻 体效应补偿
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基于低能电子束的绝缘物-半导体样品放电特性研究
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作者 霍志胜 蒲红斌 +1 位作者 余宁梅 李维勤 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期2497-2503,共7页
消除起因于高能电子束辐照产生的负带电效应对微电子器件的加工、检测和成像具有重要意义。结合数值模拟和实验测量,研究基于低能电子束的绝缘物-半导体结构样品放电特性及中和机理。建立基于电子散射、输运和俘获的数值模型,阐明了空... 消除起因于高能电子束辐照产生的负带电效应对微电子器件的加工、检测和成像具有重要意义。结合数值模拟和实验测量,研究基于低能电子束的绝缘物-半导体结构样品放电特性及中和机理。建立基于电子散射、输运和俘获的数值模型,阐明了空间电荷、空间电位分布及其放电特性,揭示了低能电子束辐照下空间电荷的驰豫特性以及电子束能量、束流对中和特性的影响。研究结果表明,长时间放置下绝缘物-半导体样品内部负带电强度逐渐减弱,但由于陷阱的俘获作用带电不会彻底消除;在低于第2临界能量的低能电子束辐照下,随着正电荷注入样品的负带电较快得到中和,表面电位将趋于0电位;当电子束实际着陆能量接近于使电子总产额最大的能量时中和过程暂态时间最短,束流越大、暂态过程越快达到平衡。 展开更多
关键词 绝缘物-半导体 低能电子束 中和特性 表面电位 放电特性
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应用于三维IC的积累型NMOS变容二极管
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作者 王凤娟 陈佳俊 +3 位作者 万辉 高炜祺 余宁梅 杨媛 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第4期582-586,共5页
基于TSV技术,提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管。通过与传统积累型NMOS变容二极管对比,证明了基于TSV的积累型NMOS变容二极管具有电容密度大、集成度高的优点。分析了TSV高度、TSV直径、源区和漏区结深、源区和漏区... 基于TSV技术,提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管。通过与传统积累型NMOS变容二极管对比,证明了基于TSV的积累型NMOS变容二极管具有电容密度大、集成度高的优点。分析了TSV高度、TSV直径、源区和漏区结深、源区和漏区宽度对所提出变容二极管性能的影响。结果表明,通过增加TSV高度或增大TSV直径都可以提高电容密度;通过减小源、漏区的结深可以提升电压灵敏度;通过增大源、漏区的宽度可以提高空穴对沟道中产生的电子抑制能力。在上述比较中加入了解析模型。最后给出了该变容二极管的工艺流程。 展开更多
关键词 TSV 积累型NMOS变容管 三维集成电路
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适用于高速背板通信的动态增益与盲均衡协同校正自适应均衡模型
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作者 井凯 余宁梅 +1 位作者 戴扬 王希 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期888-894,共7页
针对背板通信中信道的时变干扰,该文提出具有增益自适应和盲均衡动态校正功能的均衡模型。该模型基于符号-符号LMS算法,采用CTLE(连续时间线性均衡器)对受到信道干扰的信号进行初步补偿,同时利用增益监控算法和动态盲均衡自适应算法实... 针对背板通信中信道的时变干扰,该文提出具有增益自适应和盲均衡动态校正功能的均衡模型。该模型基于符号-符号LMS算法,采用CTLE(连续时间线性均衡器)对受到信道干扰的信号进行初步补偿,同时利用增益监控算法和动态盲均衡自适应算法实现对信道幅度衰减的监测和补偿。而在DFE(判决反馈均衡器)中,同时结合半速率结构进行信号的补偿和判决,进一步消除误差。研究结果表明,该模型可对受干扰眼图进行大幅度的校正和补偿,提高传输信号的可靠性,实现均衡功能。 展开更多
关键词 自适应 高速SerDes 均衡模型 判决反馈均衡器
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CMOS图像传感器列并行单斜式ADC回踢噪声自补偿方法 被引量:1
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作者 张倩 郭仲杰 +1 位作者 余宁梅 吴龙胜 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期574-580,共7页
提出了一种用于CMOS图像传感器的列并行单斜式ADC(analog-to-digital converter)回踢噪声自补偿方法,有效抑制了量化比较器对高精度共享斜坡的回踢与串扰。为了消除原始节点的回踢噪声,通过检测列级斜坡信号的突变来补偿列间共享斜坡信... 提出了一种用于CMOS图像传感器的列并行单斜式ADC(analog-to-digital converter)回踢噪声自补偿方法,有效抑制了量化比较器对高精度共享斜坡的回踢与串扰。为了消除原始节点的回踢噪声,通过检测列级斜坡信号的突变来补偿列间共享斜坡信号线的串扰,阻断噪声在共享斜坡信号线上的传输。采用本文提出的方法,基于55 nm 1P4M CMOS工艺,完成了3072(H)×2560(V)CMOS图像传感器芯片的设计与实验,该传感器实现了12位精度的列并行数字量化。当同时翻转100到1000列时,在最坏的情况下,回踢噪声可以降低到1 LSB以下,并在不增加功耗和面积的情况下实现了自补偿。测量结果表明,该单斜式ADC工作频率为500 MHz,12位线性A/D转换的数字相关双采样行时间为4.6μs,DNL控制在±0.48 LSB以内,INL不大于±4 LSB,信噪比高达71 dB。重要的是,每列的功耗仅为24μW。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 单斜式ADC 回踢噪声
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Changes in the power spectrum of electrical signals in maize leaf induced by osmotic stress 被引量:13
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作者 ZHANG XiaoHui yu ningmei +1 位作者 XI Gang MENG XiaoLi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE CAS 2012年第4期413-420,共8页
To quantify the characteristics of the power spectrum of plant electrical signals, we defined the following concepts:spectral edge frequency (SEF), spectral center frequency (SCF), power index (PI) and power spectral ... To quantify the characteristics of the power spectrum of plant electrical signals, we defined the following concepts:spectral edge frequency (SEF), spectral center frequency (SCF), power index (PI) and power spectral entropy (PSE). These parameters were used to examine and quantify changes in the power spectrum of electrical signals in maize leaves under osmotic stress. In the absence of osmotic stress, the SEF of the electrical signal in maize leaves was approx. 0.2 Hz and the SCF was approx. 0.1 Hz. The electrical signal in maize leaves was mainly a slow wave signal with a frequency of 0-0.1 Hz. After 2 h osmotic stress, the SEF and SCF of the electrical signal increased to higher frequencies. The proportion of the fast wave frequency also increased to 0.1-0.2 Hz, resulting in a dramatic increase in PSE. We also found that the changes in PSE and SCF were significantly correlated during osmotic stress. We propose that the changes in the PSE and SCF in maize leaves can be used as a sensitive signal indicating water deficit in leaf cells under osmotic stress. Thus, measurement of SCF or PSE of electrical signals in maize leaves could be used to develop early warning and rapid diagnosis techniques for the water demands of plants. 展开更多
关键词 植物电信号 玉米叶片 渗透胁迫 功率谱 中心频率 诱导 SCF PSE
原文传递
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