包含转移区域颈部淋巴结区和治疗前血清Epstein-Barr病毒DNA拷贝数的综合模型对预测N1期鼻咽癌远处转移的预后价值

背景与目的根据美国癌症联合委员会(American Joint Committee on Cancer,AJCC)分期系统第7版,50%以上的鼻咽癌(nasopharyngealcarcinoma,NPC)患者在初诊时为N1期。然而,对N1期NPC患者的研究相对较少,其转移风险也不乐观。本研究旨在评估转移区域淋巴结大体肿瘤区(gross tumor volume of metastatic regional lymph node,GTVnd)和治疗前血清EB病毒(Epstein-Barr virus,EBV)DNA拷贝数对N1期NPC患者远处转移的预测价值,并为该类型患者建立包含GTVnd和EBVDNA拷贝数的综合预后模型。方法本研究对2009年11月至2012年2月期间,在中山大学肿瘤防治中心接受治疗的787例新诊断的非转移性、经组织学证实的N1 NPC患者病历进行了分析。使用面积求和方法测量计算机断层扫描获取的GTVnd。治疗前采集血样,定量检测血浆EBV的DNA拷贝数。使用受试者工作特性(receiver operating characteristic,ROC)曲线分析来评价GTVnd的临界点,并且使用ROC曲线下面积来评估GTVnd的预测有效性。通过Kaplan-Meier分析评估生存率,使用log–rank检验比较生存曲线。采用Cox比例风险回归模型进行多变量分析。结果 GTVnd>18.9mLvs.≤18.9mL患者的5年无远处转移生存率(distantmetastasis-freesurvival,DMFS)分别为82.2%和93.2%(P <0.001),EBV DNA拷贝数> 4000拷贝/mL vs.≤4000拷贝/mL患者的5年DMFS为83.5%vs. 93.9%(P <0.001)。在Cox回归模型中对GTVnd、EBV DNA拷贝数和T分期进行校正后,GTVnd> 18.9 mL和EBV DNA拷贝数> 4000拷贝/mL与预后不良显著相关(均P <0.05)。根据GTVnd和EBV DNA拷贝数的组合,将所有患者分为低风险、中风险和高风险组,5年DMFS分别为96.1%、87.4%和73.8%(P <0.001)。多变量分析证实了该模型对远处转移风险分层的预后价值[风险比(hazard ratio,HR)=4.17;95%置信区间(confidence interval,CI):2.34–7.59;P <0.001)]。结论 GTVnd和血清EBV DNA拷贝数是预测N1期NPC患者远处转移的独立预后因素。包含GTVnd和EBV DNA拷贝数的预后模型可以改进此类患者的转移风险分层。

A comparative study on radiation reliability of composite channel InP high electron mobility transistors

This paper proposes a reasonable radiation-resistant composite channel structure for In P HEMTs.The simulation results show that the composite channel structure has excellent electrical properties due to increased modulation doping efficiency and carrier confinement.Moreover,the direct current(DC)and radio frequency(RF)characteristics and their reliability between the single channel structure and the composite channel structure after 75-ke V proton irradiation are compared in detail.The results show that the composite channel structure has excellent radiation tolerance.Mechanism analysis demonstrates that the composite channel structure weakens the carrier removal effect.This phenomenon can account for the increase of native carrier and the decrease of defect capture rate.