无鸟嘴器件隔离新技术

在场区而不是在有源器件区生长一层选择外延层,并将其完全转变成热二氧化硅膜,以形成场氧化膜。采用这种新技术可以形成无鸟嘴器件。该技术被称之为选择性外延层场氧化(SELFOX),具有若干极其出色的性能:1.均匀的场氧化膜(1000nm厚),该场氧化膜与场区范围无关,场区范围可以从1微米到数百微米。2.即使生长1微米厚的场氧化膜,也不存在鸟嘴侵入。3.在有源器件区无小到1微米的位错。该新技术产生的反向漏电流与LOCOS结构产生的反向漏电流差不多,但比SWAMI类结构的低。