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离子注入后晶圆清洗带来的材料和掺杂剂损失的测量
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作者 Nikki Edleman yong-siang tan +3 位作者 Tom Tillery Stephen Savas Andreas Kadavanich Allan Wiesnoski 《集成电路应用》 2009年第1期34-36,共3页
对45nm及以下技术节点的逻辑器件制造来说,经过次数不断增加的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后,仍保持超浅结(USJ)的完整性非常重要。在PMOS区采用SiGe带来了材料方面的又一挑战。一种新型短循环法可精确测量各种去胶/清洗工艺造成的... 对45nm及以下技术节点的逻辑器件制造来说,经过次数不断增加的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后,仍保持超浅结(USJ)的完整性非常重要。在PMOS区采用SiGe带来了材料方面的又一挑战。一种新型短循环法可精确测量各种去胶/清洗工艺造成的非晶硅或SiGe的损失量。 展开更多
关键词 离子注入 精确测量 损失量 材料 清洗 掺杂剂 SIGE 逻辑器件
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