下一代功率模块用新型1.7kV CSTBT^(TM)(Ⅲ)

功率模块用最新的IGBT性能已有了显著提高,且已经非常接近物理极限。作为下一代IGBT功率模块,我们已经在1.2kV级别上提出了CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,主要体现为精细加工的沟槽栅结构和CS层(载流子存储层)倒退型掺杂分布。基于CSTBT^(TM)(Ⅲ)的概念,我们优化了1.7kV级的MOS结构,同时改进了为发射极电极表面新开发的平坦化技术,以扩大功率循环能力。