基于数字化脉图评价易筋经调节大学生健康状态研究

目的对上海中医药大学大学生脉图进行可视化分析识别,为传统功法易筋经改善大学生健康状态提供客观依据。方法选择上海中医药大学68名在校大学生,其中健康者31名为健康组,亚健康者37名为亚健康组。亚健康组进行易筋经练习,每次40~50 min,每周1次,连续锻炼5周。采用PDA-1型单部脉诊仪采集提取受试者脉图特征参数,以时域分析方法进行脉图分析。获得健康组脉图特征参数80%医学参考值范围,将亚健康组的脉图特征参数与健康组进行比较。结果经易筋经练习后,亚健康组脉图特征参数t明显升高,w1/t、w2/t明显降低(P<0.05)。与第1周练习前比较,第3、4周练习前脉图特征参数h3/h1、h4/h1升高(P<0.05),第5周练习前脉图特征参数h4/h1明显升高(P<0.05);各周练习前脉图特征参数t、t1、t1/t、w1/t、w2/t比较,差异无统计学意义(P>0.05)。与第1周练习后比较,第4周练习后脉图特征参数t1明显降低(P<0.05);与第4周练习后比较,第5周练习后脉图特征参数t1升高(P<0.05);与第1周练习后比较,第2周练习后脉图特征参数t1/t明显降低,h4/h1明显升高(P<0.05);各周练习后脉图特征参数h3/h1、t、w1/t、w2/t比较,差异无统计学意义(P>0.05)。结论传统功法易筋经有助于提升受试者心脏射血功能,改善动脉顺应性,降低血管紧张性,可提高在校大学生身体素质。

沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响

研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得了大面积的图形化石墨烯薄膜。去除Ni后,将图形化的石墨烯保留在绝缘衬底上,采用原子力显微镜(AFM)和喇曼光谱对3种不同沉积温度下合成的石墨烯薄膜的表面形貌和质量进行了表征,研究了沉积温度对Ni辅助合成石墨烯表面形貌和导电性能的影响。结果表明,借助图形化牺牲层Ni能够在绝缘衬底Ta2O5上直接合成图形化的石墨烯,沉积温度对石墨烯的表面形貌和质量有很大影响,沉积温度在600℃时,制备的石墨烯具有较高的质量和良好的导电性能。

基于PPy/GO复合薄膜的超级电容器电极材料制备

以吡咯(Py)单体与氧化石墨烯(GO)混合液作为前驱体,通过改变二者的摩尔比,采用控制电位电解库仑力法沉积了聚吡咯(PPy)薄膜与PPy/GO复合薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外(FT-IR)吸收光谱、拉曼光谱和X射线衍射(XRD)对所制备薄膜的结构和形貌进行了表征,并对PPy和PPy/GO薄膜进行了电化学性能测试。结果表明,GO的加入使PPy/GO薄膜相比PPy薄膜展现出更为优异的电容性能。在不同电流密度下进行恒流充放电测试,发现PPy/GO薄膜具有更好的倍率特性;当前驱体混合溶液中Py与GO摩尔比为10∶4时制备的薄膜具有更好的电容性能,在1 A/g电流密度下测试其比电容达394.88 F/g,充放电循环1000次后比电容保持率为90.25%。

原位沉积温度对电子束蒸镀Ta2O5薄膜性能的影响

采用电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上制备了150 nm厚的Ta2O5薄膜,研究原位生长温度(150,250和350℃)和后退火工艺对Ta2O5薄膜性能的影响。X射线衍射测试结果表明,当衬底原位温度控制在350℃以下时,制备的Ta2O5薄膜均为无定形结构。原子力显微镜和阻抗分析测试结果发现当衬底温度为250℃时,Ta2O5薄膜的表面均方根粗糙度最小,达到0.16 nm,同时具有最优的电学性能(相对介电常数24.1,介电损耗低于0.01)。与原位控温相比,相同条件下后退火工艺处理得到的薄膜性能有所下降。研究结果表明,采用基于衬底原位控温的电子束蒸镀工艺可制备出性能优越的Ta2O5薄膜介电材料,有望应用于动态随机存储器等高性能器件。

A Masterpiece Bornfrom One Remark

On December 1,2016,the Indian Council for Cultural Relations(ICCR)held a grand award ceremony at the Rashtrapati Bhavan in New Delhi,at which then Indian President Pranab Mukherjee presented me with the Distinguished Indologist Award.

氧化石墨烯掺杂浓度对聚3,4乙烯二氧噻吩复合导电薄膜的影响

采用电化学恒电位法制备了用于染料敏化太阳能电池(DSSC)的聚3,4乙烯二氧噻吩(PEDOT)与氧化石墨烯(GO)掺杂的复合导电薄膜,然后对薄膜的结构和形貌进行了表征,并用四探针仪测试了薄膜的方阻,最后研究了GO掺杂浓度对薄膜性能的影响,获得了最佳的制备工艺。结果表明:在GO质量浓度为0.3g/L时制备的复合薄膜具有最优的性能,GO的掺杂使该复合薄膜具有更大的比表面积、更好的电学特性以及更低的电荷转移电阻(5.23Ω·cm ^(2));该复合薄膜具有良好的氧化还原催化特性,其作为对电极组装的电池性能更佳,填充因子为0.68,光电转化效率相较于纯PEDOT从4.43%提高到6.23%。

Following the Cotton Road

In addition to the Himalayas,two other things link China and India:the Silk Road and the Cotton Road.Scholars from both countries should reflect on this episode of history and help the two ancient trading routes shine light on the two countries'millennia-old friendship.

Strive to upgrade China-India literary exchange

On Sept 17,2014,President Xi Jinping was invited to visit the hometown of Indian Prime Minister Narendra Modi.He agreed with Modi that China and India are 'two bodies with one spirit'and used those words in his speech—Jointly Pursue the National Rejuvenation—delivered at the Indian Council of World Affairs on the second day of the visit.