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金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究 被引量:4
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作者 秦明 yuen c y +1 位作者 Poon Vincent M c 黄庆安 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期345-349,共5页
详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度... 详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度也对晶体生长有影响 。 展开更多
关键词 金属诱导横向晶化 晶化速度 镍诱导源 晶化波 多晶硅生长
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