采用第6代IGBT硅片的IGBT模块

从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片,其端子和电路结构具有前所未有的灵活性。在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型晶体管(Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor,简称CSTBTTM)硅片技术实现了高效性能。介绍在NX系列开发的第2阶段所采用的1.2kV第6代IGBT硅片技术。新的第6代IGBT模块进一步提高了效率并降低了噪声,从而拓宽了客户的应用范围。