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分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心
被引量:
1
1
作者
卢励吾
张砚华
+4 位作者
K.K.Mak
z.h.ma
J.Wang
I.K.Sou
Wei kun Ge
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期145-150,共6页
应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类...
应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (~ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类
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关键词
分子束外延
宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体
类DX中心
铝掺杂
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职称材料
分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究
被引量:
5
2
作者
卢励吾
王占国
+4 位作者
C.L.Yang
J.Wang
z.h.ma
I.K.Sou
Weikun Ge
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期310-314,共5页
分别应用光致发光、电容 电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为 .光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理 .两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据 .电容 电压测...
分别应用光致发光、电容 电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为 .光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理 .两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据 .电容 电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度 (样品表面下约 10 0nm处 )大约是ZnSe量子点层的位置 .深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的 0 11eV ,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致 .
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关键词
Ⅱ-Ⅵ半导体
自组织量子点
ZNSE
分子束外延生长
光学特性
电学特性
硒化锌
原文传递
题名
分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心
被引量:
1
1
作者
卢励吾
张砚华
K.K.Mak
z.h.ma
J.Wang
I.K.Sou
Wei kun Ge
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
香港科技大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期145-150,共6页
基金
国家自然科学基金和香港科技大学资助项目 !合同号分别为 697760 14和 HKUST612 5 /98p&&
文摘
应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (~ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类
关键词
分子束外延
宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体
类DX中心
铝掺杂
Keywords
molecular beam epitaxy
wide band gap Ⅱ Ⅵ semiconductors
DX like centers
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究
被引量:
5
2
作者
卢励吾
王占国
C.L.Yang
J.Wang
z.h.ma
I.K.Sou
Weikun Ge
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
香港科技大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期310-314,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 76 0 0 8)
国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 6 83)
香港科技大学 (批准号 :HKUST6 135 97P)资助的课题~~
文摘
分别应用光致发光、电容 电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为 .光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理 .两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据 .电容 电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度 (样品表面下约 10 0nm处 )大约是ZnSe量子点层的位置 .深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的 0 11eV ,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致 .
关键词
Ⅱ-Ⅵ半导体
自组织量子点
ZNSE
分子束外延生长
光学特性
电学特性
硒化锌
Keywords
semiconductor, self-organized quantum dots, optical and electrical properties
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心
卢励吾
张砚华
K.K.Mak
z.h.ma
J.Wang
I.K.Sou
Wei kun Ge
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
2
分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究
卢励吾
王占国
C.L.Yang
J.Wang
z.h.ma
I.K.Sou
Weikun Ge
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
5
原文传递
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