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645 MeV Xe^(35+)离子辐照SiO_(2)在线光发射的研究 被引量:2
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作者 徐秋梅 缑洁 +4 位作者 张崇宏 杨治虎 王彦瑜 韩旭孝 李建洋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期53-64,共12页
离子辐照可以改变二氧化硅(SiO_(2))的晶体结构和光学性质.采用645 MeV Xe^(35+)离子辐照SiO_(2)单晶,在辐照过程中,利用光栅光谱仪测量在200—800 nm范围内的光发射.在发射光谱中,观测到中心位于461和631 nm的发射带.这些发射带是弗伦... 离子辐照可以改变二氧化硅(SiO_(2))的晶体结构和光学性质.采用645 MeV Xe^(35+)离子辐照SiO_(2)单晶,在辐照过程中,利用光栅光谱仪测量在200—800 nm范围内的光发射.在发射光谱中,观测到中心位于461和631 nm的发射带.这些发射带是弗伦克尔激子辐射退激产生的,其强度与辐照离子能量和辐照离子剂量密切相关.实验结果表明:发射光强随离子在固体中的电子能损呈指数增加.由于离子辐照对晶体造成损伤,发射光谱强度随辐照剂量的增加而降低.文中讨论了这些与晶体结构有关的发射带,结合能量损失机制讨论了激子形成和退激过程.快重离子辐照过程中发射光谱的原位测量对研究辐照改性具有重要意义,有助于揭示离子辐照引起晶体损伤的物理机制. 展开更多
关键词 带状发射谱 快重离子 电子能损 二氧化硅
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小冲杆试验测定重离子辐照A508-3钢的硬化和脆化 被引量:2
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作者 张宪龙 吕康源 +5 位作者 丁兆楠 陈宇光 杨义涛 张崇宏 刘向兵 薛飞 《装备环境工程》 CAS 2022年第1期45-49,共5页
目的采用小冲杆测试方法测量高能重离子辐照反应堆压力容器A508-3钢的辐照硬化和脆化特性,为工况条件下反应堆压力容器寿命预测提供实验依据。方法采用兰州重离子加速器提供的高能C^(6+)离子通过减能装置在290℃条件下开展A508-3钢辐照... 目的采用小冲杆测试方法测量高能重离子辐照反应堆压力容器A508-3钢的辐照硬化和脆化特性,为工况条件下反应堆压力容器寿命预测提供实验依据。方法采用兰州重离子加速器提供的高能C^(6+)离子通过减能装置在290℃条件下开展A508-3钢辐照实验,并在样品表面形成一定厚度、准均匀分布的离位损伤层。通过开展不同辐照剂量辐照样品的小冲杆测试,得到不同辐照剂量A508-3钢的小冲杆载荷-位移曲线。通过对小冲杆测试得到的载荷-位移曲线的分析,测定不同辐照剂量样品的辐照硬化和脆化特性。结果压力容器A508-3钢辐照样品的硬化和脆化随着辐照剂量的增加逐渐增强,0.15 dpa以前呈线性增长,而后缓慢增大,约0.2 dpa时达到饱和趋势。结论通过小冲杆测试可以得到离子辐照样品的硬化和脆化行为,A508-3钢辐照硬化和脆化行为具有一致的变化趋势。 展开更多
关键词 反应堆压力容器钢 重离子辐照 小冲杆测试 辐照硬化 辐照脆化
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高能重离子辐照下国产RPV钢A508-3的硬化行为 被引量:2
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作者 丁兆楠 张宪龙 +4 位作者 陈宇光 杨义涛 张崇宏 刘向兵 薛飞 《装备环境工程》 CAS 2022年第1期39-44,共6页
目的研究在563 K的温度条件下,高能重离子辐照导致国产RPV钢A508-3的硬化行为。方法使用回旋加速器提供的352.8 MeV Fe^(21+)对A508-3钢试样进行辐照,使其依次达到0.15、0.30、1.50 dpa的损伤水平。借助辐照终端的梯度减能装置,在样品... 目的研究在563 K的温度条件下,高能重离子辐照导致国产RPV钢A508-3的硬化行为。方法使用回旋加速器提供的352.8 MeV Fe^(21+)对A508-3钢试样进行辐照,使其依次达到0.15、0.30、1.50 dpa的损伤水平。借助辐照终端的梯度减能装置,在样品表面至25μm的深度范围内产生一个准均匀分布的原子离位损伤坪区,并使用纳米压痕仪和维氏显微硬度计测量了试样的硬度。结果考虑到压痕尺寸效应的影响,采用Nix-Gao模型对硬度数据进行拟合,由于高能Fe离子产生了较厚的损伤区,辐照试样中的软基效应明显减弱。辐照后的试样出现明显的硬化现象,且随着辐照剂量的增大,硬化增量有饱和趋势。通过辐照前和辐照至0.15 dpa试样的微硬度数据,得出其与纳米硬度之间的线性关系(Hv_(0)=0.85H_(0))。结论借助A508-3辐照前后的硬度数据,计算发现试样的屈服强度增量与辐照剂量之间存在一种幂函数关系,这为A508-3钢中子-离子辐照硬化的映射关系研究提供了基础数据。 展开更多
关键词 离子辐照 A508-3钢 辐照硬化 屈服强度
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Fe-C合金中辐照缺陷特征的剂量率效应计算模拟
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作者 李建洋 张崇宏 杨义涛 《装备环境工程》 CAS 2022年第1期50-55,共6页
目的尝试采用计算模拟方法探究剂量率对辐照微结构特征的影响,探究常温辐照下剂量率效应的机理。方法采用动力学蒙特卡罗(OKMC)方法,结合近些年第一性原理和分子动力学的计算参数,研究了常温下铁-碳体系中辐照缺陷随剂量率的变化特征。... 目的尝试采用计算模拟方法探究剂量率对辐照微结构特征的影响,探究常温辐照下剂量率效应的机理。方法采用动力学蒙特卡罗(OKMC)方法,结合近些年第一性原理和分子动力学的计算参数,研究了常温下铁-碳体系中辐照缺陷随剂量率的变化特征。结果在较低的剂量范围(<0.01 dpa)内,间隙型位错环的密度随剂量率的增加而增加;但在较高的剂量范围内,高剂量率辐照呈现较低的间隙型位错环密度、较大的缺陷尺寸。通过比较不同剂量率下的位错线对点缺陷的吸收数目,把剂量率在不同剂量范围内的特征归结于位错吸收与缺陷复合之间的竞争。结论在较低的剂量范围内,位错吸收具有重要影响,随着剂量率的增加,位错吸收的缺陷数目显著减少;而在较高的剂量范围内,基体中间隙-空位缺陷的复合随剂量率的增加而显著增加,以至于高剂量率辐照可能产生较低的辐照硬化。文中的工作对理解剂量率效应的机理提供了一定的科学依据,为离子束模拟中子辐照提供了一定的科学参考。 展开更多
关键词 辐照损伤 缺陷演化 FE-C合金 剂量率效应 计算模拟
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境外工程项目质量管理方法探索 被引量:4
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作者 张崇宏 章沛 吴恩朝 《水运工程》 北大核心 2020年第5期47-50,共4页
结合参与“一带一路”项目阿布扎比哈里发港集装箱码头二期工程的项目管理实践,以与国际著名咨询公司美国JACOBS工程师合作共同为本工程提供高端咨询和项目管理服务为契机,从事前控制、事中管理和事后总结3方面探索境外工程师项目质量... 结合参与“一带一路”项目阿布扎比哈里发港集装箱码头二期工程的项目管理实践,以与国际著名咨询公司美国JACOBS工程师合作共同为本工程提供高端咨询和项目管理服务为契机,从事前控制、事中管理和事后总结3方面探索境外工程师项目质量管理方法,为走出国门参与境外工程项目管理的工程师提供参考。重点研究其与国内项目质量管理方法的不同,并通过分析比较总结出境外工程师较好的MAR材料质量管理方法和注重过程控制和记录的WIR施工质量管理方法,拟将之引入国内项目质量管理中,助力国内项目质量管理水平提升。 展开更多
关键词 境外工程 质量管理 方法 探索
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Mechanical Properties and Defect Evolution of Kr-Implanted 6H-SiC
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作者 XU Chao-Liang zhang chong-hong +6 位作者 zhang Yong zhang Li-Qing YANG Yi-Tao JIA Xiu-Jun LIU Xiang-Bing HUANG Ping WANG Rong-Shan 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2011年第10期169-172,共4页
Specimens of silicon carbide(6H-SiC)were irradiated with 5 MeV Kr ions(84Kr19+)for three fluences of 5×10^(13),2×10^(14) and 1×10^(15) ions/cm^(2),and subsequently annealed at room temperature,500°... Specimens of silicon carbide(6H-SiC)were irradiated with 5 MeV Kr ions(84Kr19+)for three fluences of 5×10^(13),2×10^(14) and 1×10^(15) ions/cm^(2),and subsequently annealed at room temperature,500°C,700°C and 1000°C,respectively.The strain of the specimens was investigated with high resolution XRD and different defect evolution processes are revealed.An interpretation of the defect evolution and migration is given to explain the strain variation.The mechanical properties of the specimens were studied by using a nano−indentation technique in continuous stiffness measurement(CSM)mode with a diamond Berkovich indenter.For specimens irradiated with fluences of 5×10^(13) or 2×10^(14) ions/cm^(2),hardness values exceed that of un−implanted SiC.However,hardness sharply degrades for specimens irradiated with the highest fluence of 1×10^(15) ions/cm^(2).The specimens with fluences of 5×10^(13) and 2×10^(14) ions/cm^(2) and subsequently annealed at 700°C and 500°C,respectively,show the maximum hardness value. 展开更多
关键词 CARBIDE annealed DEFECT
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