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260 GHz GaN高功率三倍频器设计
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作者 盛百城 宋旭波 +8 位作者 顾国栋 张立森 刘帅 万悦 魏碧华 李鹏雨 郝晓林 梁士雄 冯志红 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第3期290-295,共6页
基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输... 基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输出滤波器。测试结果显示,该三倍频器在261 GHz峰值频率下,实现最大输出功率为69.1 mW,转换效率为3.3%,同时具有较好的谐波抑制特性。 展开更多
关键词 三倍频器 太赫兹 肖特基二极管 非平衡式 倒装
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基于GCPW的220GHz砷化镓芯片基波混频电路
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作者 顾国栋 王国瑾 +6 位作者 朱忠博 郝晓林 张立森 宋旭波 徐鹏 梁士雄 冯志红 《空间电子技术》 2024年第4期65-70,共6页
为了提高太赫兹收发系统的集成度,设计并制备了220GHz基于共面波导输出接口的片上砷化镓基波混频电路。首先,对研制的砷化镓肖特基二极管的I-V和C-V进行测试表征,并提取了相应的肖特基二极管电路参数。其次,分别设计了串联肖特基二极管... 为了提高太赫兹收发系统的集成度,设计并制备了220GHz基于共面波导输出接口的片上砷化镓基波混频电路。首先,对研制的砷化镓肖特基二极管的I-V和C-V进行测试表征,并提取了相应的肖特基二极管电路参数。其次,分别设计了串联肖特基二极管、低通滤波器、3dB耦合器等结构,并对其进行了联合仿真,实现了220GHz混频基波电路。最后,通过优化整合工艺,采用二极管倒装的形式封装在电路上形成片上混频器。对研制的混频电路进行了测试验证:在固定中频5GHz的条件下,测试结果表明在200GHz~220GHz频率范围内芯片的变频损耗均小于15dB,在204GHz处获得了最低损耗10.6dB。基于GCPW的砷化镓芯片电路结构简单,无需波导腔体装配,可以与其他射频器件集成在一起,减小芯片体积,增加集成度。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管 接地共面波导 基波混频
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170GHz二倍频器2路功率合成技术研究
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作者 徐鹏 徐辉 +6 位作者 王国瑾 张立森 梁士雄 宋旭波 顾国栋 郝晓林 冯志红 《空间电子技术》 2024年第4期59-64,共6页
文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR... 文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR5标准波导,160GHz~185GHz频带内,插入损耗在0.4dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。采用GaAs肖特基二极管单片集成技术设计并制备单路二倍频器,以满足一致性要求;基于170GHz二倍频器2路功率合成的测试结果表明,输入功率在600mW~800mW之间,163GHz~178GHz的输出功率在110mW~264mW,合成效率在80%以上。在171GHz的频点下,峰值输出功率可达264mW,峰值合成效率达到92%。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频器 功率合成
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基于单片集成电路的180 GHz大功率倍频器
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作者 郭艳敏 张立森 +2 位作者 顾国栋 宋旭波 郝晓林 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第6期486-491,共6页
随着工作频率的提升,太赫兹倍频链路对第一级倍频器的输出功率要求越来越高,提升其功率承受能力是解决该问题的主要途径之一。设计并制作出高击穿的氮化镓肖特基势垒二极管,并与砷化镓二极管进行了对比。氮化镓二极管大的电容调制能力... 随着工作频率的提升,太赫兹倍频链路对第一级倍频器的输出功率要求越来越高,提升其功率承受能力是解决该问题的主要途径之一。设计并制作出高击穿的氮化镓肖特基势垒二极管,并与砷化镓二极管进行了对比。氮化镓二极管大的电容调制能力弥补了高电阻导致的低效率,使其具有与砷化镓倍频器相当的转换效率。针对传统混合集成电路结构的氮化镓倍频器连续波功率低的问题,研制出基于高热导率碳化硅单片集成电路形式的180 GHz氮化镓大功率倍频器,并与砷化镓倍频器进行了性能对比。在600 mW输入功率下,两种倍频器的转换效率均大于20%,输出功率大于120 mW。氮化镓二极管的高击穿特性和碳化硅衬底的高导热性使得氮化镓倍频器在大功率输入下具有更好的性能。 展开更多
关键词 氮化镓 肖特基二极管 倍频器 大功率 单片集成电路
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多阳极220GHz倍频器单片设计
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作者 徐森锋 宋旭波 +7 位作者 顾国栋 梁士雄 许婧 周幸叶 张立森 郝晓林 林勇 冯志红 《太赫兹科学与电子信息学报》 2023年第9期1080-1085,共6页
介绍了一款基于GaAs肖特基二极管单片工艺的220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率,倍频器采用多阳极结构,8个二极管在波导呈镜像对称排列,形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不... 介绍了一款基于GaAs肖特基二极管单片工艺的220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率,倍频器采用多阳极结构,8个二极管在波导呈镜像对称排列,形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不一致问题,提高了倍频器的转换效率和工作带宽。对设计的倍频器进行流片、装配和测试,测试结果显示:倍频器在204~234 GHz频率范围内,转化效率大于15%;226 GHz峰值频率下实现最大输出功率为90.5 mW,转换效率为22.6%。设计的220 GHz倍频器输出功率高,转化效率高,工作带宽大。 展开更多
关键词 倍频器 太赫兹 肖特基二极管 结电容 单片
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340GHz固定调谐分谐波混频器 被引量:1
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作者 杨大宝 张立森 +5 位作者 徐鹏 赵向阳 顾国栋 梁士雄 吕元杰 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第12期99-105,共7页
基于最新研制的小阳极结反向并联肖特基二极管芯片,设计和制造了320~360GHz固定调谐分谐波混频器。混频器的结构采用的是传统电场(E)面腔体剖分式结构:将二极管芯片倒装焊粘在石英基片上,再用导电银胶将石英电路悬置粘结在混频器下半个... 基于最新研制的小阳极结反向并联肖特基二极管芯片,设计和制造了320~360GHz固定调谐分谐波混频器。混频器的结构采用的是传统电场(E)面腔体剖分式结构:将二极管芯片倒装焊粘在石英基片上,再用导电银胶将石英电路悬置粘结在混频器下半个腔体上。电路设计采用场路相结合的方法:用场仿真软件建立混频电路各个功能单元的S参数模型,将它们代入非线性电路仿真软件中与二极管结相结合进行混频器性能整体仿真优化。最终测试结果表明,谐波混频器的双边带在4~6mW的本振功率驱动下,在320~360GHz超过12%带宽范围内,双边带变频损耗均小于9dB;混频器在310~340GHz频带范围内,双边带噪声温度最低为780K。声温度最低为780K。 展开更多
关键词 固定调谐 谐波混频器 反向并联 变频损耗
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基于GaAs肖特基二极管的220GHz线阵列被动接收前端 被引量:1
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作者 杨大宝 梁士雄 +4 位作者 张立森 赵向阳 吕元杰 冯志红 蔡树军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期748-753,共6页
基于GaAs肖特基二极管,研制了1×4多像素220 GHz线阵列被动接收前端,接收前端的每个接收通道包含一个W波段三倍频器和一个220 GHz分谐波混频器。三倍频器使用两个以串联结构集成4个肖特基结的二极管芯片实现平衡式倍频模式;220 GHz... 基于GaAs肖特基二极管,研制了1×4多像素220 GHz线阵列被动接收前端,接收前端的每个接收通道包含一个W波段三倍频器和一个220 GHz分谐波混频器。三倍频器使用两个以串联结构集成4个肖特基结的二极管芯片实现平衡式倍频模式;220 GHz分谐波混频器使用一对反向并联结构的GaAs肖特基二极管实现混频功能。室温下输入功率为100 mW,三倍频器在90~110 GHz频带范围内功率效率超过5%;当本振动率为4 mW时,谐波混频器在200~220 GHz频带内变频损耗小于9 dB。接收前端的单个通道通过上机测试,成像性能良好。该接收前端尺寸为40 mm×38 mm×26 mm,可广泛应用于各种毫米波成像检测系统。 展开更多
关键词 接收前端 GaAs肖特基二极管 分谐波混频器 三倍频器 成像
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基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器 被引量:2
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作者 张立森 梁士雄 +4 位作者 杨大宝 徐鹏 宋旭波 吕元杰 冯志红 《电子技术应用》 2019年第7期14-18,18,共5页
设计了肖特基二极管的结构和尺寸,采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗,根据二极管测试结果和实际结构,分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型,采用平衡式电路设计,将二极管放置在波导内,利用模式正交性... 设计了肖特基二极管的结构和尺寸,采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗,根据二极管测试结果和实际结构,分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型,采用平衡式电路设计,将二极管放置在波导内,利用模式正交性很好地实现输入与输出信号的隔离,简化了电路结构,降低了损耗,成功设计并制作出300GHz二倍频器,在312~319GHz的倍频效率大于5%,最大倍频效率为10.1%@316GHz,在307GHz^318GHz的输出功率大于4mW,最大输出功率为8.7mW@316GHz。采用较高掺杂浓度材料二极管的倍频器最大效率为13.7%,最大输出功率为11.8mW。该倍频器的输出功率与已报道水平相当,验证了国产肖特基二极管的设计、工艺以及高频工作等方面的能力。 展开更多
关键词 二倍频 肖特基二极管 反向串联 平衡式 太赫兹
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基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管 被引量:2
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作者 车相辉 梁士雄 +5 位作者 张立森 顾国栋 郝文嘉 杨大宝 陈宏泰 冯志红 《电子技术应用》 2019年第8期32-33,39,共3页
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温... 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 峰值电流密度 峰谷电流比
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330 GHz单片集成分谐波混频器 被引量:3
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作者 杨大宝 王俊龙 +2 位作者 张立森 梁士雄 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期259-263,共5页
根据反向并联二极管的外围结构和材料构成,以四端口S参数包的形式建立了二极管结外围无源结构的三维电磁模型,与非线性仿真软件中的肖特基结模型结合起来建立太赫兹二极管对的完整模型,这样的处理方法提高了计算机仿真的准确性。分谐波... 根据反向并联二极管的外围结构和材料构成,以四端口S参数包的形式建立了二极管结外围无源结构的三维电磁模型,与非线性仿真软件中的肖特基结模型结合起来建立太赫兹二极管对的完整模型,这样的处理方法提高了计算机仿真的准确性。分谐波混频电路制作在12μm厚度的砷化镓基片上,单片电路悬置安装在本振和射频中间剖开的减高波导腔体内。在本振5 mW功率注入时混频单片在330 GHz的频带范围内最小插损为10 dB。因为单片集成电路以四个梁式引线与波导外壁柔性连接,一端固定在波导壁上,混频单片电路能够释放腔体随温度变化而产生的机械应力。 展开更多
关键词 反向并联 单片集成 谐波混频器
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150 GHz大功率二倍频器 被引量:2
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作者 徐鹏 杨大宝 +4 位作者 张立森 梁士雄 顾国栋 吕元杰 冯志红 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第2期171-174,共4页
基于六阳极结反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管,采用平衡式二倍频器结构,成功研制出一种大功率150 GHz二倍频器。使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合仿真方法,提高了仿真结果和实际的吻合度,并根据设计结果完成倍频器的加工、装... 基于六阳极结反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管,采用平衡式二倍频器结构,成功研制出一种大功率150 GHz二倍频器。使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合仿真方法,提高了仿真结果和实际的吻合度,并根据设计结果完成倍频器的加工、装配和测试。倍频器在输出频率为146~158 GHz下的倍频效率达到7%以上;在输出频率为154 GHz时,倍频效率达到12%,输出功率达到71 mW。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频 肖特基二极管 大功率
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单片集成430 GHz三倍频器的设计及测试 被引量:3
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作者 杨大宝 邢东 +3 位作者 梁士雄 张立森 徐鹏 冯志红 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期310-315,共6页
通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430GHz)的三倍频器的各个功能电路集成在厚度为12μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹三倍频集成电路单片。单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式电路,电路不需要外... 通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430GHz)的三倍频器的各个功能电路集成在厚度为12μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹三倍频集成电路单片。单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式电路,电路不需要外加偏置电压。平衡式电路只产生奇数次谐波,简化了电路分析和优化过程。电路设计采用三维电磁仿真软件与谐波非线性仿真软件联合仿真场路的方法,准确模拟单片电路的射频特性。将单片电路安装在中间剖开的波导腔体内制成三倍频器进行测试,在430GHz处测得输出功率为215.7μW,效率为4.3%。 展开更多
关键词 太赫兹技术 三倍频 反向并联 单片集成 肖特基势垒二极管
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表面活性剂对风化壳淋积型稀土矿渗透性的影响 被引量:3
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作者 王志伟 黄素华 +3 位作者 张立森 张镱馨 周芳 池汝安 《中国稀土学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1081-1089,共9页
风化壳淋积型稀土矿属黏质土,具有颗粒细腻、渗水速度慢等特点,导致其原地浸出开采困难,提高浸取剂溶液在矿体的渗流扩散是原地浸出高效回收稀土资源的关键。本文分别考察了(NH_(4))_(2)SO_(4),NH_(4)Cl,MgSO_(4)浸取体系下,CTAB,DTAB,S... 风化壳淋积型稀土矿属黏质土,具有颗粒细腻、渗水速度慢等特点,导致其原地浸出开采困难,提高浸取剂溶液在矿体的渗流扩散是原地浸出高效回收稀土资源的关键。本文分别考察了(NH_(4))_(2)SO_(4),NH_(4)Cl,MgSO_(4)浸取体系下,CTAB,DTAB,SDS,油酸钠,油酸五种表面活性剂对于高岭土、蒙脱土、伊利石及风化壳淋积型稀土矿渗透性的影响,通过黏附功及黏附功降低因子分析表面张力与接触角对渗流的综合影响效果,揭示表面活性剂强化浸取剂溶液渗透性的作用机制。实验结果表明,三种浸取体系下,对于黏土矿物和风化壳淋积型稀土矿,5种表面活性剂均可强化溶液渗流速度,缩短形成稳定流场所需时间。表面活性剂渗透强化效应为:CTAB>DTAB>SDS>油酸钠>油酸。黏附功及黏附功降低因子结果表明黏附功、黏附功降低因子越小,渗透系数越大,渗流强化效应越明显。 展开更多
关键词 风化壳淋积型稀土矿 表面活性剂 浸取 渗透性 黏附功
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190 GHz大功率输出平衡式二倍频器 被引量:2
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作者 徐鹏 杨大宝 +5 位作者 张立森 梁士雄 宋旭波 顾国栋 吕元杰 冯志红 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期227-230,共4页
基于反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管,采用平衡式二倍频结构,研制出了一种190GHz大功率输出二倍频器。使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合的方法进行了仿真,并根据仿真结果完成了倍频器的加工、装配和测试。倍频器在182~196GHz... 基于反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管,采用平衡式二倍频结构,研制出了一种190GHz大功率输出二倍频器。使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合的方法进行了仿真,并根据仿真结果完成了倍频器的加工、装配和测试。倍频器在182~196GHz输出频率范围内的倍频效率可达8%以上;当输出频率为187GHz时,倍频效率和输出功率可分别达到15.4%和85mW。 展开更多
关键词 太赫兹 二倍频 肖特基二极管 大功率
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Emission characteristics of surface second-order metal grating distributed feedback semiconductor lasers 被引量:5
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作者 SHI JunXiu QIN Li +8 位作者 LIU Yun zhang Nan zhang Jian zhang lisen JIA Peng NING YongQiang ZENG YuGang zhang JinLong WANG LiJun 《Chinese Science Bulletin》 SCIE CAS 2012年第17期2083-2086,共4页
To obtain high-power semiconductor lasers with stable operation in a single longitudinal mode and improve the characteristics of the output beam,an end-emitting surface second-order metal grating distributed feedback(... To obtain high-power semiconductor lasers with stable operation in a single longitudinal mode and improve the characteristics of the output beam,an end-emitting surface second-order metal grating distributed feedback(DFB) laser emitting at around 940 nm is fabricated.The characteristics of the uncoated devices with and without gratings are tested under room temperature continuous-wave conditions without any temperature-control device and compared.The devices with gratings achieve high powers of up to 385 mW/facet and a small lateral far-field angle of 2.7° at 1.5 A,have only 4.13 nm/A wavelength-shift,and 0.09 nm spectral linewidth at 600 mA,and operate in a stable longitudinal mode.Devices without gratings operate in multimode,with a larger lateral far-field angle(7.3°) and spectral linewidth(1.3 nm),although with higher output powers.Because of the integration of second-order metal gratings and their very high coupling capability,the output beam quality is improved greatly,the lasing wavelength is stable and varies slowly with changes in injection current,while the spectrum is narrowed dramatically,and the far-field angles are greatly reduced.This opens the way for the realization of watt-scale power broad-stripe(>100 μm) surface second-order metal grating end and surface-emitting DFB lasers and arrays with single frequency,single mode operation and high output beam quality. 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 金属光栅 分布反馈 二阶 表面 排放特性 DFB激光器 稳定运行
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清创联合皮瓣转移"两步法"治疗4期压疮39例 被引量:7
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作者 沈运彪 夏懋 +4 位作者 柯海文 张立森 夏来启 高彩宏 刘莉 《中华烧伤杂志》 CAS CSCD 北大核心 2020年第9期870-872,共3页
2013年9月—2018年10月,新疆军区总医院收治39例4期压疮患者,其中男28例、女11例,年龄21~76岁。入院时创面面积2 cm×2 cm^20 cm×12 cm,均采用清创联合皮瓣转移"两步法"修复压疮创面。第1步,创面彻底清创(清创次数1... 2013年9月—2018年10月,新疆军区总医院收治39例4期压疮患者,其中男28例、女11例,年龄21~76岁。入院时创面面积2 cm×2 cm^20 cm×12 cm,均采用清创联合皮瓣转移"两步法"修复压疮创面。第1步,创面彻底清创(清创次数1次26例、2次10例、3次3例);6~12 d后行第2步皮瓣转移术(局部皮瓣16例、带血管蒂的岛状皮瓣8例、筋膜皮瓣5例、臀大肌肌皮瓣5例、股二头肌肌皮瓣5例),皮瓣面积4 cm×2 cm^16 cm×10 cm,部分供区直接拉拢缝合,无法缝合的切取大腿外侧中厚皮片覆盖。本组患者压疮创面均愈合,且无窦道形成。随访6个月~5年,原手术部位无压疮复发,皮瓣质地柔软、外形较佳。清创联合皮瓣转移"两步法"修复4期压疮可取得良好长期疗效,是治疗该类患者的较佳选择。 展开更多
关键词 压力性溃疡 清创术 引流术 外科皮瓣
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