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激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展 被引量:23
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作者 宗楠 胡蔚敏 +5 位作者 王志敏 王小军 张申金 薄勇 彭钦军 许祖彦 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期28-42,共15页
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜... 半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分。同时,指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题,包括提高转换效率和减少光源碎屑。特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置。最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望。 展开更多
关键词 13.5 nm极紫外光刻技术 激光等离子体 极紫外光源 转换效率 光源碎屑 预脉冲激光
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基于深紫外激光-光发射电子显微技术的高分辨率磁畴成像 被引量:3
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作者 吕浩昌 赵云驰 +16 位作者 杨光 董博闻 祁杰 张静言 朱照照 孙阳 于广华 姜勇 魏红祥 王晶 陆俊 王志宏 蔡建旺 沈保根 杨峰 张申金 王守国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1-14,共14页
基于磁二色效应的光发射电子显微镜磁成像技术是研究薄膜磁畴结构的一种重要研究手段,具有空间分辨率高、可实时成像以及对表面信息敏感等优点.以全固态深紫外激光(波长为177.3 nm;能量为7.0 eV)为激发光源的光发射电子显微技术相比于... 基于磁二色效应的光发射电子显微镜磁成像技术是研究薄膜磁畴结构的一种重要研究手段,具有空间分辨率高、可实时成像以及对表面信息敏感等优点.以全固态深紫外激光(波长为177.3 nm;能量为7.0 eV)为激发光源的光发射电子显微技术相比于传统的光发射电子显微镜磁成像技术(以同步辐射光源或汞灯为激发源),摆脱了大型同步辐射光源的限制;同时又解决了当前阈激发研究中由于激发光源能量低难以实现光电子直接激发的技术难题,在实验室条件下实现了高分辨磁成像.本文首先对最新搭建的深紫外激光-光发射电子显微镜系统做了简单介绍.然后结合超高真空分子束外延薄膜沉积技术,成功实现了L10-FePt垂直磁各向异性薄膜的磁畴观测,其空间分辨率高达43.2 nm,与利用X射线作为激发源的光发射电子显微镜磁成像技术处于同一量级,为后续开展高分辨磁成像提供了便利.最后,重点介绍了在该磁成像技术方面取得的一些最新研究成果:通过引入Cr的纳米"台阶",成功设计出FePt的(001)与(111)双取向外延薄膜;并在"台阶"区域使用线偏振态深紫外激光观测到了磁线二色衬度,其强度为圆二色衬度的4.6倍.上述研究结果表明:深紫外激光-光发射电子显微镜磁成像技术在磁性薄膜/多层膜体系磁畴观测方面具备了出色的分辨能力,通过超高真空系统与分子束外延薄膜制备系统相连接,可以实现高质量单晶外延薄膜制备、超高真空原位传输和高分辨磁畴成像三位一体的功能,为未来磁性薄膜材料的研究提供了重要手段. 展开更多
关键词 光发射电子显微镜 深紫外激光 磁圆/线二色 高分辨磁成像
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非线性光限幅材料原理、性能表征及研究进展 被引量:3
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作者 吕泽 方佑 +5 位作者 冯迢 宗楠 李云飞 张申金 谢政 彭钦军 《中国光学(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期625-639,共15页
激光防护材料在保护人眼和光学器件免受强激光破坏方面具有重要意义,其中基于非线性光学原理工作的固态光限幅材料有望成为未来激光防护的主体。本文介绍了光限幅材料的研究背景、工作机理、参数指标以及测试技术,综述了目前具有实用前... 激光防护材料在保护人眼和光学器件免受强激光破坏方面具有重要意义,其中基于非线性光学原理工作的固态光限幅材料有望成为未来激光防护的主体。本文介绍了光限幅材料的研究背景、工作机理、参数指标以及测试技术,综述了目前具有实用前景的多类光限幅材料的研究进展,对无机半导体材料、共轭有机高分子、无机金属团簇、碳纳米材料、二维材料等5类材料做了重点介绍,探讨这些光限幅材料的发展前景,并介绍了相关材料在固态基质中器件化的研究现状。 展开更多
关键词 光限幅 非线性光学 激光防护
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A Polarization-Adjustable Picosecond Deep-Ultraviolet Laser for Spin- and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
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作者 zhang Feng-Feng YANG Feng +7 位作者 zhang shen-jin WANG Zhi-Min XU Feng-Liang PENG Qin-Jun zhang Jing-Yuan WANG Xiao-Yang CHEN Chuang-Tian XU Zu-Yan 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2012年第6期149-151,共3页
We report on a polarization-adjustable picosecond deep-ultraviolet (DUV) laser at 177.3 nm.The DUV laser was produced by second harmonic generation from a mode-locked laser at 355 nm in nonlinear optical crystal KBBF.... We report on a polarization-adjustable picosecond deep-ultraviolet (DUV) laser at 177.3 nm.The DUV laser was produced by second harmonic generation from a mode-locked laser at 355 nm in nonlinear optical crystal KBBF.The laser delivered a maximum average output power of 1.1 m W at 177.3 nm.The polarization of the 177.3nm beam was adjusted with linear and circular polarization by means of λ/4 and λ/2 wave plates.To the best of our knowledge,the laser has been employed as the circularly polarized and linearly polarized DUV light source for a spin- and angle-resolved photoemission spectroscopy with high resolution for the first time. 展开更多
关键词 polarization POLARIZED CIRCULAR
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