氮投入对坡耕地土壤侵蚀及青贮玉米生长的影响

为探讨氮投入减少对青贮玉米生产及坡耕地土壤侵蚀的影响程度,在10°的坡耕地上设置N1(300.00 kg/hm^(2))、N2(225.00 kg/hm^(2))、N3(150.00 kg/hm^(2))和N4(75.00 kg/hm^(2))4个不同氮投入处理。结果表明:N1和N2处理青贮玉米的平均株高、叶面积指数和产量显著高于N3和N4处理(P<0.05)。反之,青贮玉米的根系生物量和根冠比随着氮投入量的减少而增加。对于土壤侵蚀,在玉米整个生育期,NI和N2处理的总径流量显著低于N3和N4处理(P<0.05),但N2与N1处理的总径流量差异不显著(P>0.05)。同理,N1和N2处理的产沙量显著低于N3和N4处理(P<0.05),但N2与N1处理的总产沙量差异不显著(P>0.05)。玉米株高与根系生物量之间存在极显著负相关性,而与叶面积指数呈显著正相关关系;玉米叶面积指数及株高与地表径流量和产沙量有显著负相关关系。综上所述,氮投入通过影响青贮玉米地上部农艺性状和地下根系生物量进而影响红壤坡耕地的径流量及产沙量,在当地施肥水平基础上适量减少25%氮投入不会使玉米显著减产,也不会加剧土壤侵蚀。因此,本研究为更好地了解坡耕地土壤侵蚀和农业生产对氮投入响应提供了重要的理论基础。

基于沙城地震台的河北怀来地区剪切波分裂特征

河北怀来盆地构造断裂发育,历史上强震频发,现今中小地震活动频繁.基于沙城地震台2008年10月—2018年4月记录到的丰富高信噪比小震事件,对怀来地区进行了剪切波分裂特征研究.结果显示,怀来地区快波平均偏振方向为87.3°±33.3°,水平主压应力方向为NEE或近EW向;这与前人得到的首都圈地区及华北地区区域构造应力场的主压应力方向一致,反映了区域构造的局部信息.沙城台快波偏振优势方向与台站附近NW向黄土窑—土木断裂走向不一致.较长地震孕育期或小震群活动期,怀来地区快波偏振方向较凌乱,无明显优势方向.在怀来地区小震群活动之前有慢剪切波时间延迟明显减小的趋势,这将对该地区短临地震预报工作提供一定的支持.2017年1月—2018年4月怀来地区慢波时间延迟平均值为1.24 ms·km^(-1),数值较低,可能与该时期无较大地震发生有关.

接种AMF与根系分隔对玉米马铃薯间作土壤氮素利用的影响

采用不同根系分隔方式(不分隔、尼龙网分隔、塑料膜分隔)和接种丛枝菌根真菌(arbuscular mycorrhizal fungi,AMF)来研究玉米(Zea mays L.)间作马铃薯(Solanum tuberosum L.)对土壤氮素吸收利用和作物干物重的影响。结果表明:无论何种分隔方式,接种AMF与施用苯菌灵相比,均能增加玉米根系表面积,其中最高增加29.8%,减少玉米和马铃薯根际土壤总氮、硝态氮、铵态氮含量,增加玉米、马铃薯各器官总氮含量、干物重,其中根际土壤硝态氮含量下降幅度最大,最高分别降低60.3%、42.1%,玉米籽粒和马铃薯块茎总氮含量最高分别增加34.4%和43.0%,玉米果穗和马铃薯块茎干物重最高分别增加27.3%和28.8%;不同分隔方式对玉米根系表面积、根际土壤氮吸收、各器官总氮含量和干物重均有抑制作用,对马铃薯根际土壤氮吸收、各器官总氮含量和干物质积累均有促进作用,其中不分隔处理玉米根系表面积、籽粒总氮含量和穗干重比塑料布分隔处理最高分别增加29.8%、29.3%和12.5%,根际土壤硝态氮含量降低28.2%,塑料布分隔处理马铃薯块茎总氮含量和块茎干重比不分隔处理分别增加13.4%和19.0%,根际土壤硝态氮含量最大降低22.2%。整体上,玉米马铃薯间作不分隔接种AMF处理降低根际土壤氮残留量的效果最好,对各器官总氮含量、干物重的促进作用最大,表明玉米马铃薯间作条件下接种AMF有利于进一步促进间作群体氮素高效利用和增产增收。

Research on total-dose irradiation effect of hardened partially-depleted NMOSFET/SIMOX

In this work, top and back gate characteristics of partially-depleted NMOS transistors with enclosed gate fabricated on SIMOX which is hardened by silicon ions implantation were studied under X-ray total-dose irradiation of three bias conditions. It has been found experimentally that back gate threshold shift and leakage current were greatly reduced during irradiation for hardened transistors, comparing to control ones. It has been confirmed that the improvement of total-dose properties of SOI devices is attributed to the silicon nanocrystals (nanoclusters) in buried oxides introduced by ion implantation.