微生物在食品安全中扮演着关键角色,由于食源性致病菌环境适应能力强、传播速度快其带来的食物安全事件频发,对公共健康的威胁日益增加。传统基于平板培养的微生物检测方法已无法满足现代食品安全的需求,尤其是难以有效识别“活的非可...微生物在食品安全中扮演着关键角色,由于食源性致病菌环境适应能力强、传播速度快其带来的食物安全事件频发,对公共健康的威胁日益增加。传统基于平板培养的微生物检测方法已无法满足现代食品安全的需求,尤其是难以有效识别“活的非可培养”(the viable but nonculturable,VBNC)状态的微生物,以及近年引起争论的中空细胞,常导致假阴性或假阳性结果,严重时可能忽略实际的食品安全风险。因此,对食品微生物活菌进行早期、快速且准确的检测对食品安全和追踪疫情爆发至关重要,以便及时识别并召回受污染食品,防止感染的扩散。本文详细论述了当前广泛报道的食源性细菌VBNC状态中菌体活性检测方法,包括基于膜通透性、细胞代谢活性、免疫学、核酸扩增的活菌检测技术等,重点关注基于恒温核酸扩增技术的活菌检测法,对基于不同生物技术的快速检测方法的检测原理、实际应用及其优劣势进行了对比,并展望了食源性细菌VBNC状态中菌体活性检测方法特别是核酸扩增技术的研究,为后续食源性细菌VBNC状态中菌体活性检测方法研究提供了理论依据,有助于促进开发和筛选针对食源性细菌VBNC状态中菌体活性检测方法的新兴技术,从而更全面地监控食品中的微生物状态,能为食品安全管理提供科学、精确的数据支持。展开更多
The crystal quality of p-GaN film depends on the stress-strain during the process of material growth at a certain extent. A smooth high-quality GaN epitaxial layer was grown on sapphire substrate using standard low-te...The crystal quality of p-GaN film depends on the stress-strain during the process of material growth at a certain extent. A smooth high-quality GaN epitaxial layer was grown on sapphire substrate using standard low-temperature(LT) buffer layer by MOCVD. And by testing analysis of correlative experiments,we found that the stress-strain of p-type GaN could be changed by annealing,enhancing the crystal quality.展开更多
文摘微生物在食品安全中扮演着关键角色,由于食源性致病菌环境适应能力强、传播速度快其带来的食物安全事件频发,对公共健康的威胁日益增加。传统基于平板培养的微生物检测方法已无法满足现代食品安全的需求,尤其是难以有效识别“活的非可培养”(the viable but nonculturable,VBNC)状态的微生物,以及近年引起争论的中空细胞,常导致假阴性或假阳性结果,严重时可能忽略实际的食品安全风险。因此,对食品微生物活菌进行早期、快速且准确的检测对食品安全和追踪疫情爆发至关重要,以便及时识别并召回受污染食品,防止感染的扩散。本文详细论述了当前广泛报道的食源性细菌VBNC状态中菌体活性检测方法,包括基于膜通透性、细胞代谢活性、免疫学、核酸扩增的活菌检测技术等,重点关注基于恒温核酸扩增技术的活菌检测法,对基于不同生物技术的快速检测方法的检测原理、实际应用及其优劣势进行了对比,并展望了食源性细菌VBNC状态中菌体活性检测方法特别是核酸扩增技术的研究,为后续食源性细菌VBNC状态中菌体活性检测方法研究提供了理论依据,有助于促进开发和筛选针对食源性细菌VBNC状态中菌体活性检测方法的新兴技术,从而更全面地监控食品中的微生物状态,能为食品安全管理提供科学、精确的数据支持。
文摘The crystal quality of p-GaN film depends on the stress-strain during the process of material growth at a certain extent. A smooth high-quality GaN epitaxial layer was grown on sapphire substrate using standard low-temperature(LT) buffer layer by MOCVD. And by testing analysis of correlative experiments,we found that the stress-strain of p-type GaN could be changed by annealing,enhancing the crystal quality.
