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聚酰亚胺介电常数的定量构效关系研究及其低介电薄膜的分子结构设计 被引量:11
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作者 范振国 陈文欣 +5 位作者 魏世洋 刘腾 刘四委 池振国 张艺 许家瑞 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第2期179-188,I0005,共11页
利用量子化学计算方法和基团贡献法,采集了61种聚酰亚胺分子结构模型单元的12种量子化学结构参数,并通过通径分析法筛选出5种影响该聚合物介电常数的主要因素;在此基础上,基于多元线性回归(MLR)和人工神经网络(ANN)方法构建了2种定量构... 利用量子化学计算方法和基团贡献法,采集了61种聚酰亚胺分子结构模型单元的12种量子化学结构参数,并通过通径分析法筛选出5种影响该聚合物介电常数的主要因素;在此基础上,基于多元线性回归(MLR)和人工神经网络(ANN)方法构建了2种定量构效关系研究模型(QSPR),分析了模型的稳定性及预测能力.计算结果揭示了5种结构参数与材料介电常数之间的内在关系——含氟量的自然律e^(-F%)、偶极距μ、溶度参数δ与介电常数之间存在正相关关系,而最负原子净电荷q^-、侧基长度L则与介电常数则存在着负相关关系. MLR-QSPR模型具备较好的物理意义,ANN-QSPR则具有较好的精度,实验数据证明2种模型的平均误差均低于10%.依据MLR-QSPR模型设计了5种不同含氟量的聚酰亚胺链节结构,结果显示含氟量的增加有利于降低材料的介电常数值,但当含氟量达到一定程度后,介电常数趋于稳定,与文献报道实验结果相一致;当含氟量为34%时(k-3),材料的介电常数最低,为2.02. 展开更多
关键词 聚酰亚胺 介电常数 定量构效关系 多元线性回归 人工神经网络
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本征型聚酰亚胺介电常数的定量构效关系模型构建与研究 被引量:1
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作者 范振国 刘四委 +2 位作者 池振国 张艺 许家瑞 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第7期750-761,I0004,共13页
综合运用量子化学方法及基团贡献法,采集了78种不同化学结构聚酰亚胺的结构参数.采用通径分析法从16种参数中筛选出了对介电常数具有显著影响的8种结构参数,在此基础上,构建了2种针对聚酰亚胺介电常数的定量构效关系模型,平均相对误差均... 综合运用量子化学方法及基团贡献法,采集了78种不同化学结构聚酰亚胺的结构参数.采用通径分析法从16种参数中筛选出了对介电常数具有显著影响的8种结构参数,在此基础上,构建了2种针对聚酰亚胺介电常数的定量构效关系模型,平均相对误差均在10%以内.研究认为影响聚酰亚胺薄膜介电常数的最重要因素为分子体积,从宏观角度来看即体系的自由体积尺寸.评价了2种模型的适用性及稳定性,对比发现人工神经网络模型具备更高的精度,相对误差均在5%以内,多元线性回归模型的精度在10%以内,但具备更好的物理意义.设计了18种低介电常数的聚酰亚胺结构单元,并预测其介电常数.研究发现增加体系的含氟量可以降低其介电常数,最佳含氟量为0.25~0.37之间.侧基占比S/M最佳比例为0.5~0.6左右,侧基占比过大将会导致介电常数上升.基于上述研究,设计了3种超低介电常数的聚酰亚胺结构,其中最低预测介电常数为1.22. 展开更多
关键词 聚酰亚胺 介电常数 定量构效关系 多元线性回归 人工神经网络
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具有rGO三维导热网络结构聚酰亚胺复合薄膜的制备及性能 被引量:12
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作者 魏世洋 郑智博 +5 位作者 余桥溪 范振国 刘四委 池振国 张艺 许家瑞 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第4期402-409,共8页
为了使还原氧化石墨烯(rGO)的面内导热方向与复合物材料散热方向一致,提高rGO在复合材料中的导热效率,更大程度地释放rGO的导热潜力,采用冷冻干燥的方法处理rGO的聚酰胺酸(PAA)分散液,得到PAA黏结的rGO三维网络结构,热酰亚胺化之后得到... 为了使还原氧化石墨烯(rGO)的面内导热方向与复合物材料散热方向一致,提高rGO在复合材料中的导热效率,更大程度地释放rGO的导热潜力,采用冷冻干燥的方法处理rGO的聚酰胺酸(PAA)分散液,得到PAA黏结的rGO三维网络结构,热酰亚胺化之后得到聚酰亚胺(PI)加固的rGO三维网络结构模板(3DrGO-PI).使用10 wt%的PAA胶液浇铸上述3DrGO-PI模板,制备得到含有rGO三维导热网络结构的3DrGO/PI复合薄膜.结果表明,所得到的复合薄膜具有良好的导热性能,当rGO的含量为8 wt%时,3DrGO/PI复合薄膜导热系数达到1.57 W·m-1·K-1,为纯PI导热系数的8.72倍.同时复合薄膜具有较好的热稳定性,随着rGO含量的增加,薄膜的Tg上升,热膨胀系数(CTE)下降,热性能更稳定. 展开更多
关键词 聚酰亚胺 高导热 还原氧化石墨烯 三维结构 浇铸法
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A Facile Strategy for Non-fluorinated Intrinsic Low-k and Low-loss Dielectric Polymers: Valid Exploitation of Secondary Relaxation Behaviors 被引量:8
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作者 Chao Qian zhen-guo fan +8 位作者 Wei-Wen Zheng Run-Xin Bei Tian-Wen Zhu Si-Wei Liu zhen-guo Chi Matthew P.Aldred Xu-Dong Chen Yi Zhang Jia-Rui Xu 《Chinese Journal of Polymer Science》 SCIE CAS CSCD 2020年第3期213-219,I0005,共8页
High-performance low-k and low-loss circuit materials are urgently needed in the field of microelectronics due to the upcoming FifthGeneration Mobile Communications Technology(5 G Technology).Herein,a facile design st... High-performance low-k and low-loss circuit materials are urgently needed in the field of microelectronics due to the upcoming FifthGeneration Mobile Communications Technology(5 G Technology).Herein,a facile design strategy for non-fluorinated intrinsic low-k and low-loss polyimides is reported by fully considering the secondary relaxation behaviors of the polymer chains.A new amorphous non-fluorinated polymer(TmBPPA)with a k value of 2.23 and a loss tangent lower than 3.94×10^-3 at 104 Hz has been designed and synthesized,which to the best of our knowledge is the lowest value amongst the non-fluorinated and non-porous polymers reported in literature.Meanwhile,TmBPPA exhibits excellent overall properties,such as excellent thermostability,good mechanical properties,low moisture absorption,and high bonding strength.As high-performance flexible circuit materials,all these characteristics are highly expected to meet the present and future demands for high density,high speed,and high frequency electronic circuit used in 5 G wireless networks. 展开更多
关键词 Polyimides LOW-K Free volume Secondary relaxation
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