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Inverted Organic Solar Cells with Improved Performance using Varied Cathode Buffer Layers
被引量:
1
1
作者
zhi-qiang guan
Jun-sheng Yu
+1 位作者
Yue Zang
Xing-xin Zeng
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
2012年第5期625-630,I0004,共7页
有转换平面异质接面结构的器官的太阳能电池作为阴极缓冲区层(CBL ) 用几种材料基于 subphthalocyanine 和 C60 被制作,包括 tris-8-hydroxy-quinolinato 铝(Alq3 ) , bathophenanthroline (Bphen ) , bathocuproine, 2,3,8,9,14,15...
有转换平面异质接面结构的器官的太阳能电池作为阴极缓冲区层(CBL ) 用几种材料基于 subphthalocyanine 和 C60 被制作,包括 tris-8-hydroxy-quinolinato 铝(Alq3 ) , bathophenanthroline (Bphen ) , bathocuproine, 2,3,8,9,14,15-hexakis-dodecyl-sulfanyl-5,6,11,12,17,18-hexaazatrinaphthylene (HATNA ) ,和 Cs2CO3 的无机的混合物。最低没有住的分子的轨道的水平和太阳能电池表演上的器官的 CBL 的电子活动性的影响被比较。结果证明 Alq3, Bphen,和 HATNA 能显著地改进设备表演。最高的效率作为 CBL 与退火的 HATNA 从设备被获得并且没有 CBL,与设备相比在超过 7 次增加了。而且,有空间费用有限电流理论的模拟结果显示在在转换振荡结构的 organic/electrode 接口的 Schottky 障碍被插入 HATNA CBL 为 27% 减少。
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关键词
有机太阳能电池
电池性能
缓冲层
阴极
多样化
分子轨道能级
ALQ3
十二烷基
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职称材料
题名
Inverted Organic Solar Cells with Improved Performance using Varied Cathode Buffer Layers
被引量:
1
1
作者
zhi-qiang guan
Jun-sheng Yu
Yue Zang
Xing-xin Zeng
机构
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices
出处
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
2012年第5期625-630,I0004,共7页
文摘
有转换平面异质接面结构的器官的太阳能电池作为阴极缓冲区层(CBL ) 用几种材料基于 subphthalocyanine 和 C60 被制作,包括 tris-8-hydroxy-quinolinato 铝(Alq3 ) , bathophenanthroline (Bphen ) , bathocuproine, 2,3,8,9,14,15-hexakis-dodecyl-sulfanyl-5,6,11,12,17,18-hexaazatrinaphthylene (HATNA ) ,和 Cs2CO3 的无机的混合物。最低没有住的分子的轨道的水平和太阳能电池表演上的器官的 CBL 的电子活动性的影响被比较。结果证明 Alq3, Bphen,和 HATNA 能显著地改进设备表演。最高的效率作为 CBL 与退火的 HATNA 从设备被获得并且没有 CBL,与设备相比在超过 7 次增加了。而且,有空间费用有限电流理论的模拟结果显示在在转换振荡结构的 organic/electrode 接口的 Schottky 障碍被插入 HATNA CBL 为 27% 减少。
关键词
有机太阳能电池
电池性能
缓冲层
阴极
多样化
分子轨道能级
ALQ3
十二烷基
Keywords
Organic solar cell, Inverted structure, Subphthalocyanine/C60, Cathode bufferlayer, Space charge-limited current theory
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
Inverted Organic Solar Cells with Improved Performance using Varied Cathode Buffer Layers
zhi-qiang guan
Jun-sheng Yu
Yue Zang
Xing-xin Zeng
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
2012
1
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职称材料
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