为了提高脑电情绪识别分类精度,最大限度利用脑电信号的空间和时间信息,提出一种Inception残差注意力卷积神经网络与双向长短期记忆(bi-directional long short-term memory, BiLSTM)网络相结合的新型架构时空Inception残差注意力网络...为了提高脑电情绪识别分类精度,最大限度利用脑电信号的空间和时间信息,提出一种Inception残差注意力卷积神经网络与双向长短期记忆(bi-directional long short-term memory, BiLSTM)网络相结合的新型架构时空Inception残差注意力网络。将脑电信号采集电极位置映射到二维矩阵中,采集信号作为通道,构成三维数据;将得到的三维数据输入到时空Inception残差注意力卷积网络之中,提取时空信息;将得到的特征输入到全连接层进行分类;将Inception结构引入脑电情绪识别领域,实现多尺度特征提取,并将电极映射到矩阵之中,保留电极位置信息,使用时空Inception残差注意力网络从时空两个维度获取脑电相关信息。实验表明,使用该模型对DEAP数据集进行情绪四分类可得到93.71%的准确度,相较于对比模型,识别精度提高了10%~20%。提出的模型在脑电信号情绪识别领域具有优良性能。展开更多
硅负极材料因具有较高的理论容量(Li22Si5合金相对应4200 mAh/g)、较低的工作电压(0.2~0.3 V vs Li/Li+)和地球上丰富的原材料储备,成为代替石墨负极的理想材料之一。但是,低电导率及在循环过程中发生剧烈体积膨胀导致电极失效问题限制...硅负极材料因具有较高的理论容量(Li22Si5合金相对应4200 mAh/g)、较低的工作电压(0.2~0.3 V vs Li/Li+)和地球上丰富的原材料储备,成为代替石墨负极的理想材料之一。但是,低电导率及在循环过程中发生剧烈体积膨胀导致电极失效问题限制了硅负极材料的进一步发展。因此,本工作通过物理法利用壳聚糖和石墨对纳米硅实现碳包覆和复合,制备壳聚糖/石墨@纳米硅复合材料(C/G@Si复合材料),对C/G@Si复合材料的结构、形貌和电化学性能进行研究。结果表明:随着石墨添加量的提高,C/G@Si复合材料的可逆比容量略微下降,循环性能和导电性能显著提高。当添加50%(质量分数)石墨时,在100 mA/g的电流密度下,C/G@Si复合材料的首次放电比容量为1136.1 mAh/g,循环充放电100次后剩余容量保持在658.5 mAh/g,展示出优异的电化学性能,对进一步推广硅碳负极材料具有一定的参考价值。展开更多
文摘为了提高脑电情绪识别分类精度,最大限度利用脑电信号的空间和时间信息,提出一种Inception残差注意力卷积神经网络与双向长短期记忆(bi-directional long short-term memory, BiLSTM)网络相结合的新型架构时空Inception残差注意力网络。将脑电信号采集电极位置映射到二维矩阵中,采集信号作为通道,构成三维数据;将得到的三维数据输入到时空Inception残差注意力卷积网络之中,提取时空信息;将得到的特征输入到全连接层进行分类;将Inception结构引入脑电情绪识别领域,实现多尺度特征提取,并将电极映射到矩阵之中,保留电极位置信息,使用时空Inception残差注意力网络从时空两个维度获取脑电相关信息。实验表明,使用该模型对DEAP数据集进行情绪四分类可得到93.71%的准确度,相较于对比模型,识别精度提高了10%~20%。提出的模型在脑电信号情绪识别领域具有优良性能。
文摘硅负极材料因具有较高的理论容量(Li22Si5合金相对应4200 mAh/g)、较低的工作电压(0.2~0.3 V vs Li/Li+)和地球上丰富的原材料储备,成为代替石墨负极的理想材料之一。但是,低电导率及在循环过程中发生剧烈体积膨胀导致电极失效问题限制了硅负极材料的进一步发展。因此,本工作通过物理法利用壳聚糖和石墨对纳米硅实现碳包覆和复合,制备壳聚糖/石墨@纳米硅复合材料(C/G@Si复合材料),对C/G@Si复合材料的结构、形貌和电化学性能进行研究。结果表明:随着石墨添加量的提高,C/G@Si复合材料的可逆比容量略微下降,循环性能和导电性能显著提高。当添加50%(质量分数)石墨时,在100 mA/g的电流密度下,C/G@Si复合材料的首次放电比容量为1136.1 mAh/g,循环充放电100次后剩余容量保持在658.5 mAh/g,展示出优异的电化学性能,对进一步推广硅碳负极材料具有一定的参考价值。
