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未来节点的缺陷减少要求
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作者 darin collins 《电子工业专用设备》 2017年第6期75-77,共3页
随着半导体工业向10nm节点及更高的先进光刻技术的转移,减少缺陷的标准最佳实践将有所不足。污染水平将需要以万亿分之一(ppt)来衡最。这一级别的缺陷减少需要在分析工具、质量控制(QC)和质量工程(QE)方面进行改进。
关键词 缺陷 节点 半导体工业 光刻技术 污染水平 分析工具 质量控制 工程
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