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题名镓酸锌薄膜材料的制备及研究进展
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作者
徐梦凡
李阳
谢佳慧
穆文祥
贾志泰
陶绪堂
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机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
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出处
《微纳电子与智能制造》
2023年第3期1-13,共13页
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基金
国家自然科学基金(62205182、52002219)
山东省自然科学基金(ZR2021QE281)项目资助
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文摘
镓酸锌(ZnGa_(2)O_(4))作为尖晶石双金属氧化物,禁带宽度可达4.9 eV,具有优异的荧光性质、良好的化学稳定性和热稳定性,具有广泛的应用前景。ZnGa_(2)O_(4)可应用于光电领域,制备深紫外光探测器、NO传感器、金属氧化物半导体场效应晶体管,还可作荧光粉发光。为全面了解材料性质,本文详细介绍了ZnGa_(2)O_(4)的晶体结构、禁带宽度、光学等性能;相比块状、粉末,ZnGa_(2)O_(4)薄膜性能更加突出,因而本文重点介绍ZnGa_(2)O_(4)薄膜的制备及应用:总结了目前几种常见的外延ZnGa_(2)O_(4)薄膜的生长方法,讨论发展趋势、分析优劣的同时对比不同外延方法并探讨温度、氧分压、锌镓比等参数对制备高质量ZnGa_(2)O_(4)薄膜的影响;汇总讨论了目前ZnGa_(2)O_(4)薄膜制备的主流器件,对其未来前景进行展望,指出问题以期为后续的技术发展提供参考。
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关键词
ZnGa_(2)O_(4)
薄膜外延
超宽禁带半导体
氧化物半导体
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Keywords
ZnGa_(2)O_(4)
film epitaxy
ultra-wide bandgap semiconductors
oxide semiconductors
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分类号
A140.5020
[哲学宗教—马克思主义哲学]
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