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题名带有固定延迟时间的IGBT去饱和过流检测电路
被引量:3
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作者
徐超
吴灯鹏
徐大伟
朱弘月
俞跃辉
程新红
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料重点实验室
上海科技大学物质学院
中国科学院大学
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第1期65-72,共8页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100700)
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文摘
提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路。在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁。同时固定延时电路开始计时,经历了固定延迟时间后,电路错误信号清除,IGBT恢复正常工作状态,提高了IGBT功率回路的可靠性与安全性。将固定延时电路集成在IGBT驱动芯片中,提高了系统的集成度。采用UMC 0.6μm高压BCD工艺模型对去饱和过流检测电路进行前仿和后仿。仿真结果表明,采用线性温度补偿方法,基准电路的过流阈值电压典型值为6.97 V,温度系数为19.5×10^(-6)/℃。IGBT开启后消隐时间为920 ns。在不同工艺角仿真中,后仿固定延迟时间在2.8~4 ms之间变化,典型值为3.3 ms,使功率回路储能元件中的冗余能量充分释放。
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关键词
固定延迟时间
去饱和(DESAT)过流保护
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
安全性
集成度
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Keywords
fixed delay time
desaturation (DESAT)overcurrent protection
insulated gate bipolar transistor (IGBT)
safety
integration
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
IN453
[文学]
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