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钠离子掺杂对锰氧化物多孔微球电容特性的影响 被引量:2
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作者 彭健成 王桂玲 +6 位作者 李倩男 陈俊明 丁志杰 郭雨 郭腾 周永生 陈君华 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3745-3749,共5页
采用水热法制备了锰氧化物多孔微球,并以掺杂钠离子的方式对其性能进行了改性。XRD分析揭示掺杂钠离子前后的样品的结构没有发生大的改变,均为水钠锰矿结构,只是(001)峰向低角度偏移,说明掺杂材料的层间距有所增大。SEM分析显示掺杂钠... 采用水热法制备了锰氧化物多孔微球,并以掺杂钠离子的方式对其性能进行了改性。XRD分析揭示掺杂钠离子前后的样品的结构没有发生大的改变,均为水钠锰矿结构,只是(001)峰向低角度偏移,说明掺杂材料的层间距有所增大。SEM分析显示掺杂钠离子的样品形貌没有明显变化。恒电流充放电测试实验证实掺杂10%钠离子的锰氧化物的电化学性能最好,在1 A·g^(-1)的电流密度下,放电比容量达到305.4 F·g^(-1),300圈循环后容量保持率为100%,表明钠离子预嵌入能够有效提高锰氧化物材料的电化学性能。 展开更多
关键词 超级电容器 锰氧化物 钠离子掺杂
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