小分子盐辅助插层制备不同氧化程度石墨烯的研究

对传统氧化法进行改进,降低硫酸的浓度,采用中高浓度的硫酸,加入小分子盐类,辅助超声波的作用,插层制备出不同氧化程度的石墨烯,结果显示小分子盐类的加入可以影响得到的氧化石墨烯(GO)的氧化程度,制备出不同氧化程度的石墨烯。拉曼光谱和X射线衍射(XRD)分析结果显示NaCl的加入可以降低得到的石墨烯(GO-NaCl)的氧化程度,KCl的加入可以增加得到的石墨烯(GO-KCl)的氧化程度;X光电子能谱(XPS)的结果显示样品GO-NaCl和样品GO-KCl的碳氧比有明显不同,C1s谱表明GO-NaCl的氧化程度较样品GO明显减弱,样品GO-KCl的氧化程度较样品GO增强。

超声辅助Hummers法制备氧化石墨烯

采用超声辅助Hummers法制备氧化石墨烯,单片层厚～1 nm。本法首先在Hummers法的低温、中温反应阶段加入超声振荡,以此来分别提高石墨的插层效率和氧化程度,然后在高温反应开始时,采用把含有残留浓硫酸的混合液缓慢滴入低温去离子水中再加热的方式,以此减少硫酸分子等插入物因为局部温度过高从石墨层间脱出,最后通过低速离心得到氧化石墨。使用超声辅助Hummers法制备氧化石墨烯既方便快捷,又能有效地增大氧化石墨的层间距,且随着超声功率的提高,所得氧化石墨的层间距呈扩大趋势。

超声离心工艺制备氧化石墨烯纳米片

以天然石墨粉为原料,采用改进的Hummers法制备氧化石墨烯,将得到的氧化石墨烯水分散液在超声中进行超声破碎,可以得到不同尺寸的氧化石墨烯片,再采用离心工艺进行离心分离,最后得到尺寸分布较窄的氧化石墨烯纳米片。对大量的氧化石墨烯扫描电子显微镜照片进行统计分析发现,通过调整超声功率、超声时间、离心转速和离心时间可以有效地调控得到的氧化石墨烯纳米片的片径尺寸。最后,采用优化后的工艺参数,超声离心工艺制备出了平均片径尺寸约为100nm的氧化石墨烯纳米片,其中尺寸小于100nm氧化石墨烯纳米片的含量超过了60%。

探索人工干预诱导二次形核技术制备纳米金刚石膜

围绕纳米金刚石膜生长的二次形核理论,利用直流热阴极PCVD技术,在微晶金刚石膜连续生长模式常用的一些生长条件下,通过改变工作气压,改变生长温度,同时采取人工干预间歇生长模式进行金刚石膜生长实验,探索纳米级金刚石膜制备的新途径。实验表明:在金刚石膜生成的过程中,降低工作气压或生长温度,可使等离子体激励能量减弱,导致二次形核基团比例增加,成为人工干预二次形核的内在诱因;通过调节激励电压,使等离子体能量状况改变,有利于二次形核行为的引导,成为人工干预二次形核的外在诱因,在此内外因素共同作用下,可以实现二次形核现象的有效诱导,制备出纳米金刚石膜。人工干预诱导二次形核技术制备纳米金刚石膜的实现,使纳米金刚石膜制作方法得到了扩展,也拓宽了直流热阴极PCVD技术的应用范围。

膨胀石墨制备方法的研究进展

综述了膨胀石墨制备方法的研究现状,重点阐述了两种常用制备方法:(1)以天然鳞片石墨为原料,先经氧化制得可膨胀石墨,再经膨化处理得膨胀石墨;(2)将氧化和膨胀同时进行的爆炸法。分析了不同制备方法的优劣。并对膨胀石墨的制备工艺进行了展望。参考文献48篇。

含Ni磁性介孔碳的制备及其结构表征

采用一步法得到含Ni磁性介孔碳(Ni O/C).通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、氮气吸脱附(BET)、拉曼分析、饱和磁化强度等测试对材料进行表征.研究发现,所制备的磁性Ni O/C材料具有介孔结构,可以很好地分散在水溶液中,且有高的磁性能,能通过外加磁场简单快速地进行磁性分离.该材料可以快速、高效吸附水溶液中的离子液体1-甲基-3-丁基咪唑氯盐([Bmim]Cl).