溅射气体流量比对磷掺杂ZnO电学性质的影响

采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,研究溅射气体流量比对薄膜性能的影响,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了溅射气体流量比对薄膜电学性质的影响。结果表明,当Ar/O_2为1/0.05时,得到p型ZnO:P,其电阻率为59.80Ωcm,迁移率为0.49 cm^2/Vs,空穴载流子浓度为2.33×10^(17)cm^(-3)。

退火温度对磷掺杂ZnO结构及电学性质的影响

采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响。结果表明,在750℃快退火后,磷受主被激活,得到了p型ZnO:P薄膜。