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制备工艺对ATO纳米棒形貌结构的影响 被引量:1
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作者 胡勇 陈国建 +3 位作者 陈雪梅 於定华 曹宏明 吴秋芳 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期395-399,共5页
以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法成功制备了高含量棒状纳米级掺锑二氧化锡(ATO)导电粉体,研究了掺锑量、热处理温度及热处理时间对纳米棒形貌结构的影响。初步探讨了ATO纳米棒的形成机理,并用热重分析(TG)、透射电镜(T... 以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法成功制备了高含量棒状纳米级掺锑二氧化锡(ATO)导电粉体,研究了掺锑量、热处理温度及热处理时间对纳米棒形貌结构的影响。初步探讨了ATO纳米棒的形成机理,并用热重分析(TG)、透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、比表面法(BET)对棒结构进行了表征。 展开更多
关键词 ATO纳米棒 化学共沉淀 形貌 导电材料
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