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真空条件下介质窗表面微波击穿实验 被引量:12
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作者 黄惠军 常超 +3 位作者 侯青 陈昌华 方进勇 朱晓欣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期845-848,共4页
介绍了介质表面真空微波击穿研究实验装置的设计以及介质表面刻凹槽实验。微波源为S波段速调管,中心频率2.86 GHz,脉宽1μs。为确保击穿发生在后端介质样品处,而前端用于和速调管源隔离的陶瓷微波窗不击穿,实验装置采用先分后合的方法,... 介绍了介质表面真空微波击穿研究实验装置的设计以及介质表面刻凹槽实验。微波源为S波段速调管,中心频率2.86 GHz,脉宽1μs。为确保击穿发生在后端介质样品处,而前端用于和速调管源隔离的陶瓷微波窗不击穿,实验装置采用先分后合的方法,利用两个陶瓷窗,每个陶瓷窗传输总功率的一半。为了抑制三相点带来的效应,采用凹形的圆柱介质,三相点处于电场强度弱的位置,有效消除了三相点的影响。在此实验装置上做了表面刻凹槽实验,初步实验结果表明,与光滑表面击穿阈值相比较,刻凹槽可使功率容量提高2倍以上。 展开更多
关键词 介质击穿 介质表面 高功率微波 三相点 刻槽
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微波等离子体条件下甲烷偶联制乙炔的特性探究 被引量:3
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作者 孙永志 杨鸿生 +1 位作者 孙德坤 沈长圣 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期152-156,共5页
采用绞状缠绕式的热电偶计工作在打火功率以下时,测量了不同反应压强下的微波等离子体空间温度.采用HFSS软件计算了不同压强下反应管中的场强分布,研究了压强、功率、等离子体空间温度和场强分布对乙炔收率的影响.在此实验中得到一个最... 采用绞状缠绕式的热电偶计工作在打火功率以下时,测量了不同反应压强下的微波等离子体空间温度.采用HFSS软件计算了不同压强下反应管中的场强分布,研究了压强、功率、等离子体空间温度和场强分布对乙炔收率的影响.在此实验中得到一个最佳状态:反应压强为4.655×103Pa,反应管内中心区域场强为1887.9 V/m,等离子体吸收功率为40 W,等离子体中心区域的空间温度为1194 K,此条件下甲烷转化率为91.7%,生成乙炔的选择性为100%.与传统的化学热力学理论分析结果进行对比,发现在微波等离子体条件下,甲烷偶联制乙炔的反应温度大大降低且乙炔收率大大提高,这是由于非膨胀功引起的结果. 展开更多
关键词 微波等离子体 甲烷 乙炔 非膨胀功
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高功率矩形波导可调衰减器的仿真设计与实验 被引量:1
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作者 沈长圣 孙永志 +3 位作者 彭艳军 郑福萍 于忠礼 杨鸿生 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期589-592,共4页
为了满足微波化学反应对功率可变的要求,设计了高功率可调衰减器.利用HFSS软件计算了衰减器外壳形状和宽度对衰减量和电压驻波比的影响,得到了最优结构尺寸的高功率可调衰减器.按照仿真得到的最优结构尺寸,制作了高功率矩形波导可调衰减... 为了满足微波化学反应对功率可变的要求,设计了高功率可调衰减器.利用HFSS软件计算了衰减器外壳形状和宽度对衰减量和电压驻波比的影响,得到了最优结构尺寸的高功率可调衰减器.按照仿真得到的最优结构尺寸,制作了高功率矩形波导可调衰减器.衰减器实测的最大衰减量为8.6dB.衰减片插入波导的深度小于40mm时,电压驻波比均小于1.1,此时最大衰减量为5dB;插入波导的深度大于40mm时,电压驻波比有所增加,最大值为1.55,此时最大衰减量达到10.3dB.仿真结果与实验结果一致. 展开更多
关键词 微波化学 HFSS软件 高功率可调衰减器
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具有介质电极的高频放电 被引量:1
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作者 丘军林 《激光技术》 EI CAS CSCD 1995年第5期274-276,共3页
本文对具有介质电极的高频放电进行了讨论,对频率、介电常数对放电的影响,阻抗匹配等基本问题进行了探讨。
关键词 介质电极 高频放电 阻抗匹配 气体激光器
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低气压高频氩放电中电子能量分布的研究
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作者 王德真 郭宝海 马腾才 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期389-392,共4页
由数值求解均匀的波尔兹曼方程,计算出在高频均匀的电场下氩放电中电子的能 量分布。计算适合于从低电子密度到足够高电子密度的广大区域。电场与气体密度的 比值在范围 10^(-16)Vcm<E/N<10^(-15)Vcm2.研究了在不同... 由数值求解均匀的波尔兹曼方程,计算出在高频均匀的电场下氩放电中电子的能 量分布。计算适合于从低电子密度到足够高电子密度的广大区域。电场与气体密度的 比值在范围 10^(-16)Vcm<E/N<10^(-15)Vcm2.研究了在不同频率的高频电场下,电 子-电子碰撞对电子能量分布的影响。 展开更多
关键词 高频放电 气体放电 能量分布
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高频介质阻挡放电产生臭氧的实验研究 被引量:13
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作者 周俊虎 张国平 +3 位作者 王智化 魏林生 游卓 岑可法 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期502-505,共4页
实验研究了在不同气源条件下高频正弦介质阻挡放电法产生臭氧时电压、体积流量、相对湿度的变化对臭氧体积分数的影响.实验结果表明,当气源分别为空气和氧气时,臭氧体积分数随气体体积流量的变化呈不同的变化趋势,为空气源时臭氧体积分... 实验研究了在不同气源条件下高频正弦介质阻挡放电法产生臭氧时电压、体积流量、相对湿度的变化对臭氧体积分数的影响.实验结果表明,当气源分别为空气和氧气时,臭氧体积分数随气体体积流量的变化呈不同的变化趋势,为空气源时臭氧体积分数随气体体积流量的增大先升高后降低,而为氧气源时臭氧体积分数不断下降.气源为氧气时,实验中当电压为较低电压3 064 V,体积流量为30 L/h时,臭氧体积分数高达55 000×10-6,从而即产生了高体积分数的臭氧又保证了整个系统的安全,降低了成本. 展开更多
关键词 高频 介质阻挡放电 臭氧体积分数 电压 体积流量 相对湿度
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ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究 被引量:3
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作者 谷建东 李东明 +2 位作者 冯志庆 牛金海 刘东平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期61-67,共7页
本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研... 本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研究结果表明:放电模式、放电气压、射频功率、基底位置均对薄膜的表面粗糙度(RMS)和组成具有重要的影响。在脉冲波模式下,增加放电气压,薄膜RMS值的变化呈现出先降低后升高的变化趋势;基底距离线圈的距离越远,所沉积薄膜的RMS值越小。而在连续波模式下,距离线圈较远的B、C位置薄膜的RMS值却相对较高。增加放电功率导致沉积薄膜的RMS值较小。本文也对CH2F2等离子体进行了发射光谱(OES)诊断研究。结果表明,对比脉冲波模式,连续波放电时等离子体中含碳物种明显减少。结合表征结果和OES结果对薄膜的生长机理进行了探讨。 展开更多
关键词 氟化非晶碳薄膜 沉积机理 原子力显微镜 发射光谱
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高频放电等离子体引发碳化硅表面接枝聚合甲基丙烯酸甲酯 被引量:1
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作者 韦刚 钟少锋 +1 位作者 孟月东 舒兴胜 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期105-109,共5页
高频放电氮气等离子体表面处理纳米碳化硅粉体,进而在碳化硅表面上引发甲基丙烯酸甲酯单体接枝聚合,在纳米碳化硅表面形成一层保护膜.红外(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)以及热失重分析(TGA)测试表明该聚合膜是通过化学键连接在碳化硅表面... 高频放电氮气等离子体表面处理纳米碳化硅粉体,进而在碳化硅表面上引发甲基丙烯酸甲酯单体接枝聚合,在纳米碳化硅表面形成一层保护膜.红外(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)以及热失重分析(TGA)测试表明该聚合膜是通过化学键连接在碳化硅表面的,X射线衍射光谱(XRD)表明经等离子体处理改性的碳化硅粉体只是其表面性质发生了改变,其晶体结构并没有发生任何变化. 展开更多
关键词 等离子体 接枝聚合 纳米碳化硅 聚甲基丙烯酸甲酯
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容性耦合电负性氧等离子体的激光诱导光致剥离技术诊断研究 被引量:1
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作者 王涛 王俊 +2 位作者 唐成双 杨郁 辛煜 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期37-42,共6页
采用波长532nm的高能脉冲激光束照射40.68MHz激发的容性耦合氧等离子体,并给处于激光束中央的探针施加一定的正偏压,由此诊断氧等离子体的空间电位和电负度。实验结果表明,探针偏压从0V逐渐增加时,探针搜集的电流波形从V型向倒U型转变,... 采用波长532nm的高能脉冲激光束照射40.68MHz激发的容性耦合氧等离子体,并给处于激光束中央的探针施加一定的正偏压,由此诊断氧等离子体的空间电位和电负度。实验结果表明,探针偏压从0V逐渐增加时,探针搜集的电流波形从V型向倒U型转变,转变电压点正是电负性等离子体的空间电位。尝试着给出了运用激光诱导光致剥离技术诊断电负性等离子体空间电位的经验方法。另外,探针上施加的正偏压高于等离子体空间电位时,等离子体的电负度基本保持不变。实验还表明,氧等离子体的电负度随着射频输入功率的增加而呈现下降的趋势。 展开更多
关键词 激光诱导光致剥离 电负性等离子体 空间电位 电负度
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介质阻挡放电分解O_2/N_2的试验及机理分析 被引量:1
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作者 王军 蔡忆昔 +2 位作者 赵卫东 李小华 王攀 《江苏大学学报(自然科学版)》 EI CAS 北大核心 2011年第3期301-304,共4页
通过建立介质阻挡放电型低温等离子体反应器实验系统,利用Q-VLissajous图形法对反应器电学参量进行测试,研究了该反应器分解O2/N2混合气时,激励峰值电压、放电功率、电场强度对生成的臭氧及二氧化氮体积分数的影响.结果表明:反应器放电... 通过建立介质阻挡放电型低温等离子体反应器实验系统,利用Q-VLissajous图形法对反应器电学参量进行测试,研究了该反应器分解O2/N2混合气时,激励峰值电压、放电功率、电场强度对生成的臭氧及二氧化氮体积分数的影响.结果表明:反应器放电功率、电场强度随激励峰值电压和放电频率的升高而增大,放电频率对电场强度的影响较小;反应器产生的高能电子可断裂O2,N2的分子键,生成O3及NO2,其体积分数均随激励峰值电压的增大先升高后降低;随着O2/N2混合气中O2初始体积分数的增大,产生的O3及NO2体积分数也相应增大,其中O3体积分数增加更为明显. 展开更多
关键词 低温等离子体:臭氧:二氧化氮:介质阻挡放电:体积分数
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宽束射频离子源匹配网络
11
作者 马利民 尤大伟 巴德纯 《真空》 CAS 北大核心 2006年第5期50-52,共3页
介绍宽束射频离子源原理及结构,分析射频匹配网络中调谐和负载电容与输入频率、离子源电阻、传输线特征阻抗、支路电感的关系,导出了射频离子源阻抗公式。
关键词 射频离子源 匹配网络 阻抗
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低气压容性耦合Ar/CH_(4)等离子体的放电特性
12
作者 殷桂琴 姜永博 黄禹田 《计算物理》 CSCD 北大核心 2024年第4期472-479,共8页
为进一步了解在容性耦合等离子体放电时的放电机理与入射到极板处的粒子状态,通过Particle-In-Cell/Monte Carlo Collision(PIC/MCC)程序模拟氩气与甲烷混合气体放电,分别对不同Ar/CH_(4)比例和不同极板间隙条件下的电子密度、CH_(4)^(+... 为进一步了解在容性耦合等离子体放电时的放电机理与入射到极板处的粒子状态,通过Particle-In-Cell/Monte Carlo Collision(PIC/MCC)程序模拟氩气与甲烷混合气体放电,分别对不同Ar/CH_(4)比例和不同极板间隙条件下的电子密度、CH_(4)^(+)、CH_(3)^(+)基团粒子浓度、电子能量概率(EEPF)分布,以及对到达极板边界粒子的能量角度分布和粒子种类进行模拟计算。模拟结果表明:在固定Ar/CH_(4)为9∶1时随着极板间距的增大,放电中心的电子密度、Ar^(+)、CH_(2)^(-)和H^(-)离子密度均呈现先下降后上升的趋势,而CH_(4)^(+)与CH_(3)^(+)离子密度变化趋势正好相反;极板间距增大时,电子能量概率分布由双麦克斯韦分布变为单麦克斯韦分布;到达极板中电子占比较大,随极板间距的变小,到达极板处的Ar^(+)概率先降低后升高,到达极板的CH_(4)^(+)、CH_(3)^(+)和CH_(2)^(+)离子比例随极板间距增加而增加。在固定极板间距时,随CH_(4)含量的增加,放电中心的电子密度、Ar^(+)密度均呈现下降趋势,CH_(4)^(+)、CH_(3)^(+)、CH_(2)^(-)和H^(-)离子的密度均呈上升趋势;极板间距的变化对EEPF分布的影响比CH_(4)比例变化的影响更加明显;随CH_(4)含量的增加,到达极板的电子占比变化不明显,Ar^(+)离子的占比明显减小,而到达极板处的CH_(4)^(+)、CH_(3)^(+)、CH_(2)^(+)和其余的离子比例均有增加。 展开更多
关键词 容性耦合等离子体放电 Ar/CH_(4)混合等离子体 PIC/MCC模拟
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