一种基于非晶层粘性流动的机械化学抛光模型

通过分析单个微纳米磨粒滑动接触的分子动力学模拟的研究结果,提出了在典型的机械化学抛光(CMP)过程中芯片表面材料的去除应为表面非晶层物质粘性流动所致的新观点。基于这种机理,应用微观接触力学和磨粒粒度分布理论建立了一种新的表征CMP过程材料去除速率的数学模型。模型中引入了一个表征单个磨粒去除芯片表面非晶层能力的比例系数k,k综合反映了磨粒的机械作用、抛光液对芯片表面的化学作用和芯片的材料特性。通过实验验证发现该模型的理论预测值与实验测定值十分吻合。

多孔硅/聚合物复合膜等效折射率的研究

用多孔Si(PS)圆柱空腔二维结构模型,理论研究了TE模式情况下PS/聚合物复合膜的等效折射率,给出了PS等效折射率与孔隙率和嵌入率的关系。实验采用波导耦合m线法分别研究了TE模和TM模入射情况下(633 nm波长处),孔隙率为73%的PS膜嵌入聚合物聚合基丙烯酸甲酯(PMMA)材料后的等效折射率与聚合物嵌入率的关系。理论分析与实验结果基本符合。