单体型推断问题与配对图(英文)

纯节俭型单体型推断(PPHI)问题是这样一类单体型推断问题给定n个基因型向量,要求寻找n对单体型,使得每一个基因型刚好由其中一对单体型组合生成,并且这2n个单体型中所含的不同单体型数目最小.u-限制单体型推断(u-PPHI)问题是一类特殊的纯节俭型单体型推断问题,要求每一个单体型至多可以用于分解u个基因型.PPHI和u-PPHI问题都是NP-困难的.文中首先介绍了配对图的概念,并通过配对图将两类问题转化为图论问题;然后分别给出了两类问题的近似算法;最后,专门讨论了当u=2时的2-PPHI问题,并在配对图上给出了相应的算法.

P_mVS_n的边色数和全色数

把星{u0,u1,u2,…,un}中的每一个点与路{v1,v2,v3,…,vm}中的每一个点相连,得到路和星的联图,记为PmVSn.本文给出了路和星的边色数和全色数.

路和圈的广义Mycielski图的邻强边色数

研究了路和圈的广义Mycielski图的邻强边染色,证明了对p个点的路Pp(p≥2),对圈Cp,有as(Mn(Cp))=5。

W_mW_n和W_m○W_n的边色数

对m,n≥3,V(Wm Wn)={ui|i=0,1,…,m}∪{vij|i=1,2,…,m;j=1,2,…,n};E(Wm Wn)={u0ui|i=1,2,…,m}∪{u1u2,…,um-1um,umu1}∪{uivij|i=1,2,…,m;j=1,2,…,n}m∪i=1{vi1vi2,vi2vi3,…,vi(n-1)vin,vinvi1}.V(Wm○Wn)={ui|i=0,1,…,m}∪{Vij|i=1,2,…,m;j=1,2,…,n}∪{vi0|i=1,2,…,m};E(Wm○Wn)={u0ui|i=1,2,…,m}∪{u1u2,…,um-1um,umu1}∪{vi0vij|i=1,2,…,m;j=1,2,…,n}m∪i=1{vi1vi2,vi2vi3,…,vi(n-1)vin,vinvi1}.且对Wm○Wn有Ui=Vin,i=1,2,…,m.得到了Wm Wn和Wm○Wn的边色数。

无圈竞赛图的内(外)生成树与路的计数

主要研究了无圈竞赛图中的外向生成树和指定点对的路问题,得到了图中全部外向生成树的计数公式τ+(Tn)=(n-1)!,在此基础上,得出图中全部内向生成树的计数公式τ-(Tn)=(n-1)!;两点之间全部路的计数公式σ(Tn)=2n-2,在此基础上,得出n阶无圈图全部路数为2j-i-1.

中子小角散射实验中放射性样品伴随γ抑制

为抑制中子小角散射实验中伴随γ辐射的影响,研究弱散射能力中子辐照样品在不同实验条件下探测器获取的散射信号。结果表明:通过适当降低探测器的阳极工作电压,伴随γ辐射信号在全背底中的贡献比例降低,二维散射图谱环向均匀性大幅提升,散射信号的信噪比明显提高;根据辐照样品特性优选探测器阳极工作电压,可抑制伴随γ辐射的影响,改善样品的散射数据质量。

中子束流相空间标定技术介绍

为了在中子射线装置调试与安装过程中了解上游部件或者中子源情况,应用中子束流相空间标定技术进行了相关的研究,通过采用二维位敏探测器,小孔与飞行时间装置相结合的办法,可以得到中子束流的发散、源强度分布以及上游部件的安装情况,为下游部件的设计、安装与调试提供必要输入参数。

混合压片型241AmO2-Be中子源物理特性研究

Am-Be中子源是应用广泛的同位素中子源,国际上为其建立了ISO 8529-1推荐标准。为检验该标准的普适性和各种应用的需求,本文以德国PTB实验室ISO源和北京大学核物理与核技术国家重点实验室的国产同类源为例,对源中子从产生到出射的物理过程进行蒙特卡罗模拟和理论计算。综合评述了源的制作和结构差异等因素对源中子能谱、平均能量、1.5 MeV以下中子的份额、源强、源发射4.438MeVγ射线与中子的强度比和出射中子的各向异性等源自身物理特性的细致影响。

一种改进的不可追踪的盲签名

通过对邱成刚等人提出的不可追踪的盲签名和多重盲签名方案的分析,发现该方案具有可追踪性.针对这个安全缺陷,提出了一个新的不可追踪的盲签名方案.此方案具有不可追踪性,保护了用户的隐私,在电子现金中也有很大的应用.研究中没有涉及哈希函数,而是在基于离散对数难解的基础上引入一个随机数,计算量小,比较实用.