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铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
被引量:
1
1
作者
蒋春丽
鲜晓斌
+1 位作者
肖红
陆雷
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期135-138,共4页
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,...
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退火促进了界面扩散,随着温度的升高,铀与铜发生了相互作用和扩散,温度继续升高,铀与碳形成了铀碳化物。
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关键词
铀薄膜
铜
俄歇电子能谱
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职称材料
题名
铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
被引量:
1
1
作者
蒋春丽
鲜晓斌
肖红
陆雷
机构
表面物理与化学国家重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期135-138,共4页
文摘
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退火促进了界面扩散,随着温度的升高,铀与铜发生了相互作用和扩散,温度继续升高,铀与碳形成了铀碳化物。
关键词
铀薄膜
铜
俄歇电子能谱
Keywords
Uranium thin film, Copper, AES
分类号
O557.62 [理学—热学与物质分子运动论]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
蒋春丽
鲜晓斌
肖红
陆雷
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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