100～5000eV下电子被等电子(Z=10)分子CH_4、H_2O、HF及NH_3散射的总截面计算

利用可加性规则 ,使用Roothaan Hartree Fock波函数 ,在 10 0～ 5 0 0 0eV下首次采用由束缚原子概念修正过的复光学势 ,对电子被等电子 (Z =10 )分子CH4、H2 O、HF和NH3 散射的总截面进行了计算。束缚原子不同于自由原子之处 ,是束缚原子考虑了在不同分子中电子云的不同重叠 ,将计算结果与实验及其它计算结果进行了比较。结果表明 ,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算 ,其结果的精度要比利用未被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好。

100eV以下^(169)Tm中子共振参数的测量与分析

本文介绍了在韩国浦项中子源上应用中子飞行时间方法进行的169 Tm的全截面穿透测量,发布了1组新的169 Tm透射率和全截面数据,并在此基础上介绍了应用SAMMY程序结合实际实验环境,对169 Tm在100eV以下能区的中子共振参数进行的分析和计算。结合此次计算结果及前人的169 Tm共振能区实验数据和评价结果,对169 Tm的100eV以下能区中子共振参数进行了评价和推荐,探索并总结了中子共振参数评价的基本方法和流程。

中高能电子被氟代甲烷散射的总截面计算

利用可加性规则 ,使用Hartree Fock波函数 ,采用被束缚原子概念修正过的复光学势 ,首次在 1 0 0～ 5 0 0 0eV内对电子被具有较多电子数的氟代甲烷分子散射的总截面进行了计算 ,且将计算值与实验值及经验公式进行了比较 ,得出了被束缚原子概念修正过的复光学势可成功用于“电子 氟代甲烷”散射总截面计算的结论 ;研究了“电子 氟代甲烷”的散射总截面与目标分子总电子数及电子入射能量间的关系 ,初步分析了结构因子与总电荷数相关的原因 。

100～5000eV下电子被若干分子散射的总截面

利用可加性规则 ,使用Hartree Fock波函数 ,在 10 0～ 5 0 0 0eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势 ,对电子被约 4 0个分子散射的总截面进行了计算 ,并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较。得出如下结论 :①对大多数散射体系而言 ,仅当入射能量E≥ 10 0eV时 ,计算结果即与实验结果符合得较好 ,少数较复杂的体系 ,当E≥ 2 0 0～ 30 0eV时 ,也能与实验结果符合得较好。但采用未修正的复光学势进行计算 ,仅当E≥ 5 0 0～ 80 0eV时才与实验结果符合得较好 ,不少体系只有在E≥ 10 0 0eV时才能得到较好的结果。这说明本修正是成功的 ;②在较高的能量下 ,对于同类型分子构成的散射体系 ,在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比 ,且电子数越多 ,其线性度也就越好 ;③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE-b的关系。②与③相结合 ,可推算出一些复杂分子的总截面。

14MeV中子(n,α)反应截面的系统学研究

在对实验数据分析、评价的基础上 ,研究了 1 4MeV中子 (n ,α)反应截面的系统学特性 ,给出了截面的系统学公式σn ,α=(A1/3 + 1 ) 2 αexp[β(N -Z + 1 ) /A].利用给出的公式 ,计算了从13 9La到180 Hf的中等和重质量核的 1 4.7MeV中子的 (n ,α)截面 ,为聚变技术的研究提供了一定参考数据 .

^(189)W的衰变

给出了迄今为止实验中测得的新发现的189W的衰变数据——射线能量、半衰期和相对强度等,作为文献值;并将实验结果同文献值进行了比较。

14MeV中子(n,p)反应截面的系统学研究

研究中等和重质量核１４ＭｅＶ（ｎ，ｐ）反应截面的系统学特性．在对实验数据进行分析、评价的基础上，给出了系统学经验公式，并计算了一批核素的反应截面。

10～3000 eV下电子被分子N_2O、NO_2及CO_2散射总截面的计算

考虑到靶分子的不充分透明性和原子间电子云的重叠，提出了修正的可加性规则并用于计算分子N2O、NO2及CO2的散射的总截面．计算的能量范围为10～3000eV，并将计算结果与已有的实验结果和理论计算进行了比较．

10～3000eV下电子被分子N_2O,NO_2及NO散射总截面的计算

考虑到靶分子的不充分透明性和原子间电子云的重叠,一个修正的可加性规则被提出用于计算分子N2O,NO2及NO的散射的总截面.我们计算的能量范围从10～3 000 eV.计算结果与已有的实验结果和理论计算进行了比较.

^(63)Cu(n,α)^(60)Co反应截面测量

本文报告了E_n=13.6-14.8MeV中子能区用活化法以^(27)Al(n,α)^(24)Na截面为中子注量标准测得的^(63)Cu(n,α)^(60)Co的反应截面.在中子能量为13.64,13.79,14.03,14.33,14.60和14.80MeV的截面值分别为58.3±3.1,56.3±2.4,53.4±2.0,50.8±1.9,48.4±1.7和47.4±1.7mb.在文中还列举了一些作者的数据以作比较.中子能量是用铌锆截面比法测定的.

^(60)Ni(n,p)^(60)Co反应截面测量

本文报告了E_n=13.6-14.8MeV中子能区用活化法以^(27)Al(n,α)^(24)Na截面为中子注量标准测得的^(60)Ni(n,p)^(60)Co的反应截面.在E_n为13.64,13.79,14.03,14.33,14.60,14.80MeV处的截面分别为184.4±12.2,178.8±10.5,171.4±10.3,161.9±9.6,157.0±9.3,147.5±8.9mb.在文章中还列举了所能收集到的一些作者的数据以作比较.中子能量是用铌锆截面比法测定的.

^(62)Ni(n,α)^(59)Fe反应截面测量

本文报告了在E_n=13.6—14.8MeV中子能区用活化法以^(27)Al(n,α)^(24)Na截面为中子注量标准测得的^(62)Ni(n,α)^(59)Fe的反应截面.在E_n为13.64,13.79,14.00,14.05,14.33,14.60和14.80MeV处的截面分别为17.4±1.1,19.5±1.5,21.9±1.9,22.4±1.6,25.4±1.4,26.1±1.1和26.0±1.1mb.在文章中还列举了所能收集到的一些作者的数据以作比较.中子能量是用铌锆截面比法测定的.

浦项中子装置上^(209)Bi中子全截面测量（英文）

在浦项中子装置(PNF)的100 Me V电子直线加速器上利用透射法和飞行时间法测量了209Bi的0.1～100 e V的中子全截面。文中对于实验装置特点、用吸收片法拟合本底、拟合中子飞行距离和时间零点的处理过程做了较为详细的描述。测量结果与以前发表的实验数据以及评价数据ENDF/B-VII.1做了比较,比较结果符合得较好。

中能区丰中子核反应总截面与中子过剩自由度的关系研究

发展了一个适用于计算中能区核反应总截面的修正微观模型,讨论了中子皮厚度,基态形变及与中子过剩自由度有关的核物质弥散度对核反应总截面的影响.计算结果和现有实验数据的比较表明,与中子过剩自由度有关的核物质弥散度是反应总截面随中子过剩增加而迅速增加的一个重要因素.