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氧化物直接转化法制备汞的硫属化合物纳米材料
被引量:
5
1
作者
丁轶
刘仁茂
+2 位作者
张祖德
钱逸泰
李亚栋
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期344-346,共3页
以低毒性的 Hg O与 S,Se,Te单质为原料 ,乙二胺为溶剂 ,在室温下合成了汞的硫属化合物纳米材料 Hg S,Hg Se和 Hg Te,并通过 XRD,TEM和 XPS对产物进行了表征 .结果表明 ,所合成的产物为六方相α-Hg S和立方闪锌矿结构的 Hg Se和 Hg Te,...
以低毒性的 Hg O与 S,Se,Te单质为原料 ,乙二胺为溶剂 ,在室温下合成了汞的硫属化合物纳米材料 Hg S,Hg Se和 Hg Te,并通过 XRD,TEM和 XPS对产物进行了表征 .结果表明 ,所合成的产物为六方相α-Hg S和立方闪锌矿结构的 Hg Se和 Hg Te,且纯度高 ,粒度分布均匀 .
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关键词
硫属化合物
半导体材料
氧化物转化法
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职称材料
题名
氧化物直接转化法制备汞的硫属化合物纳米材料
被引量:
5
1
作者
丁轶
刘仁茂
张祖德
钱逸泰
李亚栋
机构
中国科学技术大学化学系
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期344-346,共3页
基金
国家自然科学基金!(批准号 :5 9872 0 38)
文摘
以低毒性的 Hg O与 S,Se,Te单质为原料 ,乙二胺为溶剂 ,在室温下合成了汞的硫属化合物纳米材料 Hg S,Hg Se和 Hg Te,并通过 XRD,TEM和 XPS对产物进行了表征 .结果表明 ,所合成的产物为六方相α-Hg S和立方闪锌矿结构的 Hg Se和 Hg Te,且纯度高 ,粒度分布均匀 .
关键词
硫属化合物
半导体材料
氧化物转化法
Keywords
Chalcogenides
Conversion route
Chemical synthesis
Semiconductors
分类号
O613.510.4 [理学—无机化学]
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化物直接转化法制备汞的硫属化合物纳米材料
丁轶
刘仁茂
张祖德
钱逸泰
李亚栋
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
5
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职称材料
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