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甲壳素修饰碳糊电极测定痕量铜 被引量:22
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作者 兰雁华 陆光汉 +1 位作者 姚胜来 宋丰 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期1192-1195,共4页
报道了采用甲壳素修饰碳糊电极测定痕量铜的方法。通过开路富集,Cu2+和甲壳素形成络合物富集于电极表面,然后经介质交换,电位还原再进行阳极溶出伏安测定。在浓度为 3.0 × 10-9- 9. 0 × 10-7 mol/... 报道了采用甲壳素修饰碳糊电极测定痕量铜的方法。通过开路富集,Cu2+和甲壳素形成络合物富集于电极表面,然后经介质交换,电位还原再进行阳极溶出伏安测定。在浓度为 3.0 × 10-9- 9. 0 × 10-7 mol/L范围内,峰电流与痕量铜浓度呈线性关系,检测限为 1.0×10-9 mol/L。同时,对电极反应的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 甲壳素 碳糊修饰电极 伏安法 富集 分析
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非有机溶剂萃取光度法测定铝和铜 被引量:9
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作者 邓凡政 石影 +1 位作者 钱秀华 贾凤琴 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期620-620,共1页
关键词 测定 萃取光度法
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