不同离子对氧化锌晶体形貌的影响

以不同Zn盐Zn(CH3COO)2.2H2O,ZnCl2,ZnSO4.7H2O,Zn(NO3)2.6H2O与不同碱NaOH,KOH为原料,制得Zn(OH)42-前驱溶液,使之在水热环境下分解,生成ZnO晶体.产物通过全自动X射线衍射仪(XRD)进行物相分析,扫描电子显微镜(SEM)观测ZnO晶体的形貌和大小.170℃,溶液中的阴离子CH3COO-,SO42-,NO3-,Cl-分别与Na+构成干扰离子对,伴随着晶体生长12 h,晶体成长为片球集状、极性生长明显的花状、极性生长不明显的花状、小尺寸花状ZnO晶体;140℃,溶液中阳离子Na+,K+分别与CH3COO-作为离子对,干扰晶体生长,12 h后制备了纳米针状、纳米片状ZnO晶体.通过对SEM图像分析可知,溶液中存在的干扰离子,对ZnO晶体的形貌和尺寸有很大影响,对干扰离子的干扰机理进行简单分析.

大尺寸氟化钡晶体的辐照损伤

采用γ射线对 BaF_2晶体进行辐照试验,并通过测量其辐照前后透光率的变化,研究其辐照损伤.对晶体辐照损伤与晶体生长状况之间的关系的研究结果表明,BaF_2晶体的辐照损伤与晶体中的杂质和缺陷有关,当阳离子杂质浓度降至一定程度以后,氧和氢氧离子成为最有害的杂质,晶体中的缺陷如散射颗粒将导致辐照损伤.由于对晶体生长工艺的改进,大尺寸 BaF_2晶体的抗辐照性能获得了大幅度的提高.在辐照损伤机理方面,可以认为,原先溶解在晶体中的氧在晶体辐照时形成氧离子是引起190～250nm 吸收带的原因,F 色心的形成是产生500～600nm 吸收带的原因.

四硼酸锶SrB4O7的晶体结构及其非线性光学性质

采用Kyropoulos法生长出高质量大尺寸的SrB4O7晶体,以单晶X射线衍射法确定了其晶体结构,讨论了与文献报道的晶体结构测量结果存在差异的原因,指出了前人工作中存在的问题,并研究了该晶体的非线性光学性质.

LiH晶体的几何结构及电子结构

用CASTEP中的GGA/RPBE基组优化了LiH晶胞的几何结构,并用超软赝势平面波方法计算了LiH晶体的总能量.结果表明,其晶胞参数优化结果为0.4012nm,该数据与文献值相比,相对误差仅为-0.15%;通过对优化后的LiH晶体进行总态密度图和分波态密度图及Mulliken电荷分析,发现Li原子的p轨道有电子分布,即Li的s、p轨道均参与了成键,这表明LiH晶体中有sp轨道杂化;成键时电子的重叠增强,LiH晶体的共价性增加.

微波法制备三角锥形碘化亚铜微纳米晶体

在微波条件下,以乙醇为反应介质,用铜片和碘单质为原料制备碘化亚铜微纳米晶体,分别用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所得的碘化亚铜微纳米晶体的晶型和形貌进行了表征,并考察了浓度、反应时间和微波功率对产物形貌和粒径的影响,最终确定合成规则三角锥形CuI的最佳条件。

由混合羧酸构筑的稀土配位聚合物的合成

采用多步水热法合成了由反丁烯二酸和草酸共同构筑的稀土配位聚合物[Sm2(fum)2(ox)(H2O)4].4H2O(fum=反丁烯二酸盐,ox=草酸盐),并对其进行了单晶X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)及热重(TG)分析。单晶XRD结果表明,反丁烯二酸和草酸的羧基氧原子均与Sm3+配位,化合物是由草酸做柱支撑Sm-fum层而成的三维网络结构,且沿a轴,具有孔径约为6.4×9.72的长方形孔道,孔道被配位水分子和游离水分子占据。

高温高压下LiD热力学性质的密度泛函理论研究

采用MS中CASTEP模块中的密度泛函理论方法,计算晶体的能量随体积变化的关系(E-V曲线),运用准谐振子Debye模型研究了压力0～100GPa、温度0～2 000K下的晶体LiD的热力学性质,包括热膨胀系数α随温度和压强的变化关系、体弹模量B0随温度的变化、热容Cv与温度和压强的关系。预测了LiD晶体在高温、高压下的热力学性质。

CaO和YAG中掺杂Fe^(3+)、Mn^(2+)离子的零场分裂

本文采用Ｆｅ３＋和Ｍｎ２＋离子的ＳＣＦ－ｄ轨道理论，通过分析杂质离子引起晶体中局域结构的变化，研究了晶体ＣａＯ和ＹＡＧ中掺杂Ｆｅ３＋和Ｍｎ２＋离子的零场分裂立方分量ａ和三角分量，合理地解释了在同一种晶体中掺杂Ｆｅ３＋离子的零场分裂（ａ、｜Ｄ｜）比Ｍｎ２＋离子的大。

LiH电子结构与光学性质的密度泛函计算

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法计算了LiH晶体的电子结构和光学性质,给出了电子态密度、介电函数、吸收系数、复数折射率等计算结果,并对计算结果进行了分析。介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等的峰值位置存在一一对应关系,这表明它们之间存在着内在的联系,与电子从价带到导带的跃迁吸收有关。

晶须的研究和应用新进展

介绍了一些无机晶须如钛酸钾、硼酸铝、氧化锌、硫酸镁、硫酸钙、碳酸钙、碳化硅、硼酸镁等 ,以及它们在高分子聚合物和其它材料中的应用。在高分子聚合物中用于增强、增进耐磨性、热性能、电性能和加工性能等 ;在减振、抗静电、吸波、降噪、耐高温、防腐蚀、绝缘、抗菌和阻燃等材料中的制造应用也很成功 ,在这些方面都作了较详细论述。我国开发的硼酸镁晶须 ,具有显著的性价比、并在镁铝合金复合材料中获得了成功的应用。无机晶须作为一种新型的增强剂 ,还可用于热固性树脂、热塑性树脂、橡胶等聚合物中 ,能制造出高性能的工程塑料、特殊复合材料、胶粘剂、新型涂料等。预计今后晶须的需求将日益增长 ,它在复合物材料制造中具有非常重要的价值。

晶须的阻燃防火应用

本文介绍了水合碱式硫酸镁晶须和硫酸钙晶须在阻燃防火中的应用。

VO(H_2AsO_4)_2的合成与晶体结构

在五氧化二钒-三氧化二砷-砷酸-水体系中，以水热法合成了VO（H2AsO4）2蓝色四棱柱状晶体，晶体属四方晶系，P4／ncc群，a=b=0．9120（1）nm，c=0．8131（1）nm，V＝0．6763（2）nm3，Z＝4．

新型的双阴离子型镱(Ⅲ)胺化物{[Me_2Si(NPh)_2]_2Yb[(N^iPr)_2CN(SiMe_3)_2]}{Li(THF)_2}_2的合成及晶体结构

A new dianionic guanidinate bridged diamide ytterbium(Ⅲ) complex {[Me2Si(NPh)2]2Yb[(NiPr)2CN(SiMe3)2]}{Li(THF)2}2 was synthesized by the reaction of bisguanidinate ytterbium chloride [(SiMe3)2NC(NiPr)2]2Yb(μ-Cl)2Li(THF)2 with silylene-bridged diamide lithium PhLiNSiMe2NLiPh.The complex was characterized by elemental analysis and IR.The molecular structure was further determined by X-ray diffraction techniques.The crystals are monoclinic,space group p 21/c,a=14.0001(8),b=17.6808(9),c=24.9565(16),β=95.994(3),V=6143.8(6)3,Dc=1.287 g/cm3,Z=4.

簇合物[Et_4N]_2[Fe_2(CO)_8]的合成、结构和性质

以[Et_4N]_2MoS_4,Fe(CO)_5为原料合成出标题簇合物晶体,用X-射线单晶衍射方法测定了其晶体结构,晶体属于P2_1/n空间群,晶胞参数为α=0.9497(1)nm,b=1.3802(1)nm,c=1.1880(1)nm,β=112.8.°,经块矩阵最小二乘法精修所有结构参数,最终得偏离因子R=0.057,并对簇合物的红外光谱和紫外可见光谱进行了研究。

镍配合物[Ni(phen)_2(tovsb)]·4H_2O的合成与晶体结构(英文)

以牛磺酸、邻香草醛为原料,合成了配体牛磺酸缩邻香草醛席夫碱,再用所得配体与醋酸镍、邻菲啰啉作用,合成了配合物[Ni(phen)2(tovsb)].4H2O(phen=邻菲啰啉,tovsb=牛磺酸缩邻香草醛席夫碱),其结构通过IR,元素分析和X-射线单晶衍射法测定。标题配合物属三斜晶系,P墿空间群;a=1.04661(16),b=1.2303(2),c=1.4063(2)nm,α=83.714(4),β=88.539(3),γ=69.398(3)°,V=1.6947(5)nm3,Z=2。结构分析表明,两个邻菲啰啉共提供四个配位原子,牛磺酸缩邻香草醛席夫碱提供两个配位原子,中心Ni(II)离子是一个六配位的畸变八面体结构。该聚合物中含有四个结晶水分子,水分子通过氢键作用,形成了一个六聚水簇,配合物分子通过氢键和π-π堆积作用形成三维超分子结构。

Mn^(2+)离子在LiNbO_3晶体中的占位研究

本文采用晶场叠加模型和应用高阶微扰公式计算了６Ｓ态离子在三角晶场中的零场分裂参量Ｄ、ａ－Ｆ．研究表明，ＬｉＮｂＯ３：Ｍｎ２＋晶体中Ｍｎ２＋离子占Ｌｉ＋位，并且在ＣｏｎｇｒｕｅｎｔＬｉＮｂＯ３晶体中Ｍｎ２＋沿Ｃ３轴向八面体中心移动约０．１．

碳化硅晶须与微颗粒制备及性能研究

目前生产SiCw(碳化硅晶须)和SiCP(碳化硅颗粒)的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类。气相反应法中应用最为普遍的是气相沉积法(CVD法);固体材料法生产SiCw主要有气(V)-液(L)-固(S)反应法(简称VLS法)和气(V)-固(S)反应法(简称VS法)。固体材料法生产出的碳化硅产品尤其是SiCw,主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧。使用SiCw与SiCP增韧、增强的材料,可广泛用于航空航天、军事和民用等众多工业领域。本文采用VLS法,在无限微热源炉中成功合成了碳化硅晶须,运用SEM,XRD,Zeta等分析测试技术对SiCw的形态、显微结构和Zeta电位等性能进行了研究。

八配体CdF_2和CaF_2中掺杂Co￣(2+)的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Ｃｏ￣（２＋）离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ￣（２＋）离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ＿ｇ因子．研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。

SrFCl:Eu^(2+)晶体的电子自旋共振谱研究

用程序降温法生长了SrFCl:Eu^(2+)晶体,并测量了它的电子自旋共振谱。应用最小二乘法拟合技术对g因子及自旋哈密顿参数进行了精确拟合。报道了各向异性的g因子及有关自旋哈密顿参量。发现并归属了Eu^(2+)的高阶禁阻跃迁。

K_2CuIn_3Se_6的固相合成、晶体结构和性能

采用反应性熔盐法以n(K2 Se3 )∶n(Cu)∶n(In)∶n(Se) =2∶2∶1∶6的摩尔比 ,在 773K下反应 5d ,得到四元金属硒化物K2 CuIn3 Se6。该晶体属于单斜晶系 ,空间群为C2 /c ,晶胞参数a =1 1 4 84 (2 )nm ,b =1 1 4 5 8(2 )nm ,c =2 1 32 7(4 )nm ,β =97 81 (3)° ,V =2 780 2 (1 )nm3 ,Z =8。K2 CuIn3 Se6具有层状结构 ,含有二维共价结构的负离子 ,2 ∞ [CuIn3 Se6]2 -。2 ∞ [CuIn3 Se6]2 -由配位四面体 [CuSe4]和 [InSe4]共顶点连接而成。2 ∞ [CuIn3 Se6]2 -和K+ 以静电力堆积成晶体。漫反射光谱研究表明 ,该晶体具有 1 6eV的光学能隙 ,属于半导体 ,对太阳能有选择吸收的特性。