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正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤 被引量:1
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作者 陈玲燕 项开华 +2 位作者 魏宗英 何崇藩 殷之文 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第6期327-331,共5页
本文介绍用正电子湮没寿命谱和Doppler展宽谱方法研究掺杂BGO辐照损伤效应。在150Gy^(60)Coγ剂量及UV辐照下,掺杂BGO出现表征色心形成的新寿命成分,其中以掺杂质Pb最为明显,此结果与荧光输出结果相符。对掺杂BGO辐照损伤机制进行了讨论。
关键词 掺杂BGO 晶体 损伤 正电子湮没法
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含镧铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应
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作者 刘俊明 周尧和 商宝禄 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期257-260,共4页
用定向结晶法考察了含镧分别为0、0.1、0.5wt%的铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应。结果表明,温度梯度的提高使片状共晶相间距λ_f明显减小,而对纤维状共晶相间距λ_r影响很小,从而加大了分叉值λ_f和λ_r间的差别。生长界面过冷和... 用定向结晶法考察了含镧分别为0、0.1、0.5wt%的铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应。结果表明,温度梯度的提高使片状共晶相间距λ_f明显减小,而对纤维状共晶相间距λ_r影响很小,从而加大了分叉值λ_f和λ_r间的差别。生长界面过冷和α相枝晶生长的温度梯度效应显著,而且这种效应随镧含量的增加而加强。 展开更多
关键词 晶体生长 铝硅共晶 温度梯度效应
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