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正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤
被引量:
1
1
作者
陈玲燕
项开华
+2 位作者
魏宗英
何崇藩
殷之文
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期327-331,共5页
本文介绍用正电子湮没寿命谱和Doppler展宽谱方法研究掺杂BGO辐照损伤效应。在150Gy^(60)Coγ剂量及UV辐照下,掺杂BGO出现表征色心形成的新寿命成分,其中以掺杂质Pb最为明显,此结果与荧光输出结果相符。对掺杂BGO辐照损伤机制进行了讨论。
关键词
掺杂BGO
晶体
损伤
正电子湮没法
下载PDF
职称材料
含镧铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应
2
作者
刘俊明
周尧和
商宝禄
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期257-260,共4页
用定向结晶法考察了含镧分别为0、0.1、0.5wt%的铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应。结果表明,温度梯度的提高使片状共晶相间距λ_f明显减小,而对纤维状共晶相间距λ_r影响很小,从而加大了分叉值λ_f和λ_r间的差别。生长界面过冷和...
用定向结晶法考察了含镧分别为0、0.1、0.5wt%的铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应。结果表明,温度梯度的提高使片状共晶相间距λ_f明显减小,而对纤维状共晶相间距λ_r影响很小,从而加大了分叉值λ_f和λ_r间的差别。生长界面过冷和α相枝晶生长的温度梯度效应显著,而且这种效应随镧含量的增加而加强。
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关键词
晶体生长
铝硅共晶
镧
温度梯度效应
下载PDF
职称材料
题名
正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤
被引量:
1
1
作者
陈玲燕
项开华
魏宗英
何崇藩
殷之文
机构
同济大学
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期327-331,共5页
文摘
本文介绍用正电子湮没寿命谱和Doppler展宽谱方法研究掺杂BGO辐照损伤效应。在150Gy^(60)Coγ剂量及UV辐照下,掺杂BGO出现表征色心形成的新寿命成分,其中以掺杂质Pb最为明显,此结果与荧光输出结果相符。对掺杂BGO辐照损伤机制进行了讨论。
关键词
掺杂BGO
晶体
损伤
正电子湮没法
Keywords
Positron annihilation Doped BGO crystal Radiation damage
分类号
O744 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
含镧铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应
2
作者
刘俊明
周尧和
商宝禄
机构
西北工业大学材料科学与工程系
出处
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期257-260,共4页
文摘
用定向结晶法考察了含镧分别为0、0.1、0.5wt%的铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应。结果表明,温度梯度的提高使片状共晶相间距λ_f明显减小,而对纤维状共晶相间距λ_r影响很小,从而加大了分叉值λ_f和λ_r间的差别。生长界面过冷和α相枝晶生长的温度梯度效应显著,而且这种效应随镧含量的增加而加强。
关键词
晶体生长
铝硅共晶
镧
温度梯度效应
分类号
O781 [理学—晶体学]
O744 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
正电子湮没方法研究掺杂BGO辐照损伤
陈玲燕
项开华
魏宗英
何崇藩
殷之文
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990
1
下载PDF
职称材料
2
含镧铝硅共晶强制稳态生长的温度梯度效应
刘俊明
周尧和
商宝禄
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
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职称材料
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