掺Nd系LiNbO_3晶体的生长及外泵浦位相共轭激光器的特性

用提拉法生长 Nd:LiNbO3(Nd:LN),In:Nd:LN和Ce:Nd:LN晶体。测试晶体的紫外一可见吸收光谱和抗光损伤能力。结果表明:Nd:LN晶体的吸收边相对同成分纯LN晶体向长波方向移动;In:Nd:LN晶体的吸收边相对Nd:LN晶体向短波方向移动;Ce:Nd:LN晶体的吸收边向长波方向移动。 In:Nd:LN晶体的抗光损伤能力比Nd:LN晶体的提高1个数量级以上。以掺Nd系LN光折变晶体为位相共轭镜,He-Ne气体为激活介质,构成外泵浦位相共轭激光器。实验表明:掺Nd系LN晶体外泵浦位相共轭激光器的输出特性稳定,In:Nd:LN晶体的输出光强比Fe:LN晶体的提高了近1个数量级。

Ce:Cu:KNSBN晶体自泵浦位相共轭效应研究

以硅钼棒作加热体,用Czochralski技术生长了Ce∶Cu∶Ba0 5Sr1 5K0 5Na0 5Nb5O15(Ce∶Cu∶KNSBN)晶体。测试了自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ce∶Cu∶KNSBN晶体作记录介质和自泵浦位相共轭镜进行实时全息联想存储器实验。实验结果显示:以含75%,50%原信息的图像寻址时,读出图像清晰完整;以25%原信息的图像寻址时,能读出完整的图像;自泵浦位相共轭反射率R达到60%。对自泵浦位相共轭产生机理进行了研究。