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Bi_(12)GeO_(20)晶体的生长及其性能
1
作者
李铭华
强亮生
+3 位作者
徐玉恒
贾晓林
高云凯
孙光耀
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1992年第4期349-352,共4页
采用提拉法生长出 Bi_(12)GeO_(20)(BGO)晶体,研究了不同生长条件下晶体外形的变化,以及生长条件对晶体质量的影响。当存在外电场时,BGO 晶体表现出双折射,用四波混频方法测试了其位相共轭反射率。
关键词
缺陷
共轭
晶体生长
下载PDF
职称材料
题名
Bi_(12)GeO_(20)晶体的生长及其性能
1
作者
李铭华
强亮生
徐玉恒
贾晓林
高云凯
孙光耀
机构
哈尔滨工业大学应用化学系
哈尔滨工业大学控制工程系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1992年第4期349-352,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
采用提拉法生长出 Bi_(12)GeO_(20)(BGO)晶体,研究了不同生长条件下晶体外形的变化,以及生长条件对晶体质量的影响。当存在外电场时,BGO 晶体表现出双折射,用四波混频方法测试了其位相共轭反射率。
关键词
缺陷
共轭
晶体生长
Keywords
BGO crystal
crystal shape
defect
phase conjugation
分类号
O781.1 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Bi_(12)GeO_(20)晶体的生长及其性能
李铭华
强亮生
徐玉恒
贾晓林
高云凯
孙光耀
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1992
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